--- 產品參數 ---
- 操作頻率 4 GHz
- 典型輸出功率 77 W
- 信號增益 1.8 GHz 時 17.5 dB
- 應用電路 0.8 – 2.0 GHz
- PSAT效率為 53 %
- 操作電壓 50 伏
--- 產品詳情 ---
CGHV40050 是無與倫比的;氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050;從 50 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率;高增益和寬帶寬能力;使 CGHV40050 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用 2 引線法蘭和藥丸封裝。
特征
高達 4 GHz 的操作
77 W 典型輸出功率
1.8 GHz 時 17.5 dB 小信號增益
0.8 – 2.0 GHz 的應用電路
PSAT 的效率為 53 %
50 伏操作
應用
窄帶超高頻
L 和 S 波段
高達 4 GHz 的多倍頻程帶寬放大器
相關型號
CGHV40050F
CGHV40050F-AMP
CGHV40050P
CGHV40100F
CGHV40100F-AMP
CGHV40100P
CGHV40100P-AMP
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CGHV40200PP
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CGHV50200F-AMP
CGHV59070F
CGHV59070F-AMP
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