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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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CGHV40200PP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGHV40200PP

--- 產品參數 ---

  • 操作頻率 高達 3.0 GHz 的
  • 小信號增益 1.8 GHz 時 21 dB
  • 典型 PSAT 250 W
  • PSAT 的效率 67 %
  • 操作電壓 50 伏

--- 產品詳情 ---

CGHV40200PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP；從 50 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力；使 CGHV40200PP 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用 4 引腳法蘭封裝。

CGHV40200PP

 

特征
高達 3.0 GHz 的操作
1.8 GHz 時 21 dB 小信號增益
250 W 典型 PSAT
PSAT 的效率為 67 %
50 伏操作

應用
2路私人收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施
測試儀器
A類；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形


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