--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 小信號增益 26 dB
- 典型 PSAT 60 W
- 工作電壓高達(dá) 40 V
- 高擊 穿電壓
- 耐高溫 高溫操作
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CMPA1C1D060D 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC),位于碳化硅襯底上;使用 0.25-μm 柵極長度的制造工藝。與硅相比,GaN-on-SiC 具有更優(yōu)越的性能;砷化鎵或 GaN-on-Si;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。
特征
26 dB 小信號增益
60 W 典型 PSAT
工作電壓高達(dá) 40 V
高擊穿電壓
高溫操作
應(yīng)用
衛(wèi)星通信上行
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