CMPA1D1E030D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CMPA1D1E030D

--- 產品參數 ---

小信號增益 27 dB
工作電壓高 40 V
擊穿電壓高
操作環境高溫操作
典型 PSAT 30 W

--- 產品詳情 ---

CMPA1D1E030D 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)，位于碳化硅襯底上；使用 0.25-μm 柵極長度的制造工藝。與硅相比，GaN-on-SiC 具有更優越的性能；砷化鎵或 GaN-on-Si；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。

特征
27 dB 小信號增益
30 W 典型 PSAT
工作電壓高達 40 V
高擊穿電壓
高溫操作

應用
衛星通信上行

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