CMPA3135060S氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

Cree

型號： CMPA3135060S

--- 產品參數 ---

操作頻率 3.1 - 3.5 GHz
典型輸出功率 75 W
功率增益 29 分貝
歐姆匹配 50
塑料表面貼裝封裝 7x7 mm QFN

--- 產品詳情 ---

Cree 的 CMPA3135060S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。該 MMIC 功率放大器包含一個兩級無功匹配放大器設計方法，使高功率和功率附加效率成為采用 7mm x 7mm 表面貼裝（QFN 封裝）實現。該 MMIC 設計用于 S 波段雷達功率放大器應用。

特征
3.1 - 3.5 GHz 操作
75 W 典型輸出功率
29 分貝功率增益
50 歐姆匹配，易于使用
塑料表面貼裝封裝，7x7 mm QFN

應用
空中交通管制雷達
國防監視雷達
火控雷達
軍用空中、陸地和海上雷達
天氣雷達

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