--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作電壓 20V
- 功率輸出 5W
- 測試頻率 1GHz
- 應(yīng)用范圍 1-1000MHz
- 有源FET配置 3
--- 產(chǎn)品詳情 ---
DMD5012是TT Electronics鍍金多用途硅 DMOS RF FET。
特征
簡化的放大器設(shè)計
適用于寬帶應(yīng)用
低溫
RSS
簡單的偏置電路
低噪聲
高增益 – 最小 16 dB
鍍金
多用途硅
DMOS射頻場效應(yīng)管
100W – 28V – 500MHz
單端
包裹:DP
配置:單端
工作電壓:20V
功率輸出: 5W
最低效率:50
獲得:13
測試頻率 :1GHz
應(yīng)用范圍 :1-1000MHz
有源FET配置:3
BV(Dss):65V
應(yīng)用
VHF/UHF 通信
從直流到 2 GHz
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