GF90F0320單片機(jī)ADC型Flash芯片

型號(hào)： GF90F0320

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

CPU 增強(qiáng)型1T 8051內(nèi)核
工作模式正常、低頻、掉電和空閑
溫度范圍 -40°C ~ +85°C
寬電壓 2.0V ~ 5.5V
封裝 TSSOP20/QFN20

--- 產(chǎn)品詳情 ---

　GF90F0320 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設(shè)計(jì)開發(fā)的增強(qiáng)型 8 位單片機(jī)，內(nèi)部有 16K Bytes FLASH 程序存儲(chǔ)器，256 Bytes IRAM 和 768 Bytes XRAM，最多 18 個(gè)雙向 I/O 口，1 個(gè) 外設(shè)功能引腳全映射模塊 PTM，5 個(gè) 16 位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器，3 組 16 位帶死區(qū)控制互補(bǔ) PWM，1 個(gè) 8 位 PWM，2 個(gè) UART，1 個(gè) SPI，1 個(gè) IIC，16 個(gè)外部中斷，11+2 路 12 位 ADC，四種系統(tǒng)工作模式（正常、低頻、掉電和空閑）和 17 個(gè)中斷源。

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逆變器mos管常用型號(hào)，60-80v低內(nèi)阻mos管系列！2023-06-26 16:30

MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關(guān)，驪微電子60-80V低壓mos系列，常用于光伏儲(chǔ)能、BMS、逆變器等領(lǐng)域，是光伏儲(chǔ)能、BMS、逆變器專用mos管！耐壓60Vmos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5

MOS 內(nèi)阻
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富滿常用PD快充協(xié)議芯片匯總，覆蓋18W-100W！2023-04-23 16:48

PD快充協(xié)議是一種高速充電技術(shù)，能夠快速給移動(dòng)設(shè)備充電，并且不會(huì)產(chǎn)生過熱等安全問題。而這種協(xié)議需要配合芯片才能實(shí)現(xiàn)快速充電，因此，在選擇PD快充協(xié)議芯片時(shí)需要根據(jù)具體的使用場景以及需求進(jìn)行選型，驪微電子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd協(xié)議芯片方案。常用pd協(xié)議芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W選型36W和36W以

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p型mos管-30V/-100V/-150V選型，士蘭微mos管代理2022-11-11 15:17

P型MOS管是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件，P-MOSFET的柵極是絕緣的，屬于電壓控制器件，因而輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，電路簡單。和N溝道MOSFET產(chǎn)品相比，P溝道MOSFET產(chǎn)品需求遠(yuǎn)小，但在某些應(yīng)用領(lǐng)域，P溝道MOSFET因其本身的電性特點(diǎn)，有其不可替代性，目前驪微電子可提供-30~-150V，-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案，封裝

MOS管
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高壓MOS管4N65/7N65/10N65/12N65，士蘭微mos代理商!2022-09-15 17:11

MOS管是一種金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體，具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，是中小功率應(yīng)用領(lǐng)域的主流開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、電源管理等。驪微電子低壓MOSFET主要用于消費(fèi)電子領(lǐng)域，中高壓MOSFET則主要用于工業(yè)、通訊、電動(dòng)車等領(lǐng)域。4n65高壓mos管參數(shù)型號(hào)：SVF4

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驪微電子續(xù)簽2022-2023年無錫芯朋微深圳代理商！2022-08-16 17:28

芯朋微電子成立于2005年，于2020年7月登陸上交所科創(chuàng)板，產(chǎn)品主要包括AC-DC、DC-DC、MotorDriver等，應(yīng)用于家用電器、手機(jī)及平板的充電器、機(jī)頂盒及筆記本的適配器、移動(dòng)數(shù)碼設(shè)備、智能電表、工控設(shè)備等領(lǐng)域，與深圳市驪微電子科技有限公司建立了長期穩(wěn)定的合作關(guān)系，代理銷售Chipown品牌系列產(chǎn)品，包括家電電源、標(biāo)準(zhǔn)電源、消費(fèi)數(shù)碼、半橋驅(qū)動(dòng)等，

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IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士蘭微MOS代理2022-06-27 14:57

MOSFET作為功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于汽車、家電、光伏、風(fēng)電、軌交等領(lǐng)域，長期以來一直被國外廠商占據(jù)著大部分市場份額，受益于龐大的終端消費(fèi)需求，國內(nèi)終端廠商推進(jìn)進(jìn)口替代，驪微電子推出SVT20240NTN溝道增強(qiáng)型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220場效應(yīng)管。irfb4227場效應(yīng)管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(

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viper12a芯片代換料AP8012H電源控制芯片，降低成本！2022-06-21 17:14

VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8兩種封裝，是ST，VIPer產(chǎn)品系列，應(yīng)用功率5W-10W，典型應(yīng)用于電池充電器的壁掛式適配器，以及電視和監(jiān)視的待機(jī)電源領(lǐng)域，隨著缺貨漲價(jià)以及國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)展的完善，國產(chǎn)替代勢在必行，AP8012H在不改PCB及外圍參數(shù)下可兼容替代viper12a芯片，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代！viper12a替代芯片ap8012h特征■

viper12a 電源控制芯片
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杭州士蘭微mos有哪些型號(hào)及mos代理商2022-06-01 15:43

士蘭微mos管產(chǎn)品主要包括低高壓、超結(jié)mos管，實(shí)現(xiàn)了溝槽柵低壓MOS，溝槽屏蔽柵SGT-MOS，超級(jí)結(jié)MOS和IGBT等多個(gè)產(chǎn)品的量產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于家電、工業(yè)、LED照明、汽車、消費(fèi)類電子、影音設(shè)備等，缺貨漲價(jià)潮助力國產(chǎn)替代加速，士蘭微不斷推進(jìn)產(chǎn)品開發(fā)和升級(jí)，不僅在產(chǎn)能端實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)增，而且產(chǎn)品結(jié)構(gòu)也在從低階產(chǎn)品向更高價(jià)值量產(chǎn)品升級(jí)，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。高壓超結(jié)MOS

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ncp1252a芯片代替料啟達(dá)啟臣微CR1252A2022-05-20 11:19

受多重因素影響，芯片的供應(yīng)緊張仍未緩解，在缺“芯”困局之下，國產(chǎn)替代的呼聲愈發(fā)高漲，許多國產(chǎn)廠商選擇“PINtopin”的替代模式入局，驪微電子代理的啟達(dá)啟臣微CR1252A電源驅(qū)動(dòng)芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封裝■內(nèi)置軟啟動(dòng)■內(nèi)置斜波補(bǔ)償■峰值電流限制■內(nèi)置輸入欠壓自動(dòng)恢復(fù)■內(nèi)置LEB前沿消隱功能

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ir2104驅(qū)動(dòng)芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預(yù)驅(qū)方案2023-03-29 09:24

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片，可兼容代換IR2104，應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動(dòng)逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5

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20W A+C雙口pd快充充電器方案|一站式服務(wù)2023-03-09 16:41

自iPhone8開始，后續(xù)的蘋果手機(jī)都支持快充，然而隨著iPhone12系列手機(jī)的推出以及取消多部機(jī)型標(biāo)配充電器這一傳統(tǒng)，從iPhone的全球出貨量來看，已經(jīng)造成了上億規(guī)模的快充市場空缺，深圳市驪微電子科技有限公司專注于電源方案設(shè)計(jì)開發(fā)，順勢推出20WA+C雙口pd快充充電器方案，提供一站式服務(wù)。20WA+C雙口pd快充充電器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，該芯片內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流

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5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充電器芯片方案2022-10-19 15:59

充電器常用的芯片方案有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多種功率類型，充電器中的核心元器件為充電器ic芯片，在充電環(huán)境中起到了至關(guān)重要的作用，選擇合適的充電器電源芯片將大大延長電路壽命，也可以減少充電器的故障，下面驪微電子介紹幾款充電器常用的芯片方案。基于PN8366的5V1A充電器電源應(yīng)用方案■輸入電壓：90~264Vac；■輸出功率：5W(5V1A)；■待機(jī)

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30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管選型方案2022-08-01 14:35

MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式，即N溝道型和P溝道型，結(jié)構(gòu)不一樣，使用的電壓極性也會(huì)不一樣，選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，確保設(shè)備得到高效、穩(wěn)定、持久的應(yīng)用效果，充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用，30V-200Vmos管廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。30Vmos管常用型號(hào)：SVG030R7NL5封裝PDFN56，導(dǎo)通內(nèi)阻0.7mΩSVG031R1NL5封裝PDFN56，

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IR2110國產(chǎn)替代芯片ID7S625高壓逆變器驅(qū)動(dòng)芯片方案2022-07-30 16:06

常見的MOS管驅(qū)動(dòng)方式有非隔離的直接驅(qū)動(dòng)、自舉驅(qū)動(dòng)，和有隔離的變壓器驅(qū)動(dòng)、光耦隔離驅(qū)動(dòng)等，ir2110驅(qū)動(dòng)芯片替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作電壓范圍10V~20V■輸入邏輯兼容3.3

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65W PD快充方案PN8213+PN8307小體積低功耗2022-06-10 17:06

65WPD快充方案不但可以支持手機(jī)的大功率快速充電還可以支持20V輸出，可以為電腦充電，具有通用性好的優(yōu)點(diǎn)，搭配氮化鎵，體積可以做到很小，驪微電子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080，具有小體積、大功率、高效率、超低待機(jī)功耗等特點(diǎn)，足以應(yīng)對(duì)目前市場對(duì)65WPD快充的需求。PN8213內(nèi)置800V高壓啟動(dòng)管和X電容放電功能，專用于高性能的快速充電開關(guān)電源，待機(jī)功耗小于50mW

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ob3353代換料AP3160液晶電視常用背光驅(qū)動(dòng)芯片方案2022-05-31 16:57

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30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案2022-05-24 16:02

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PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，輸出電壓可通過FB電阻調(diào)整3.3V~24V，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN80155V0.2A風(fēng)扇方案：■輸入電壓：90~265V■輸出功率：≤1W■輸出電壓電流:5V/0.2A■擁有可恢復(fù)短路保護(hù)，輸出過載保護(hù)。在啟動(dòng)階段，內(nèi)部高壓啟動(dòng)管提供2.5mA電流對(duì)外部VDD電容進(jìn)行充電；當(dāng)VDD電壓達(dá)到13.5V，

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