LND12N65 650V超級MOS管
型號:
LND12N65
LND12N65 n溝道650V 12A功率mosfet管特征
■ 低RDS(on)
■ 低柵極電荷( (typ. Qg = 41.9 nC))
■ 100% UIS 測試
■ 符合 RoHS
LND12N65電氣特性:
■ 漏源極電壓VDSS:650V
■ 連續的漏極電流( TC = 25°C )ID:12A
■ 功耗 TO-220F ( TC = 25°C ):42W
■ RDS(on),max :0.8Ω