FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：4A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：44 毫歐 @ 4.3A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：12.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1200pF @ 15V
功率 - 最大值：1.4W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3L
