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電子發燒友網>RF/無線>Peregrine半導體UltraCMOS發揮出無法比擬的RF性能

Peregrine半導體UltraCMOS發揮出無法比擬的RF性能

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2017-11-08 15:32:381

促射頻器件整合啦 Peregrine推PE42722和兩種Global 1

在進入主題之前,請讓我們先認識幾款Peregrine半導體公司的新產品:高線性度射頻開關PE42722和兩種新的Global 1集成產品,即真正的直流開關PE42020和X波段核心芯片PE82670
2018-04-13 12:10:00646

產業研用四方將齊聚張家港 共話第三代半導體

以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶、高熱導率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點,在許多應用領域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優點,有望突破第一、二代半導體材料應用技術的發展瓶頸,市場應用潛力巨大。根據第三代半導體不同的發展情況,其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器等領域。
2018-09-03 14:40:00690

UltraCMOS PE42020:業界第一個真正的直流射頻開關,能夠通過大功率

Peregrine半導體公司宣布UltraCMOS PE42020上市。UltraCMOS PE42020是業界第一個、也是唯一一個真正工作在直流(DC)即零赫茲的集成射頻開關。這個真正的直流射頻
2018-09-05 15:09:003157

Peregrine推出新系列UltraCMOS單片相位和幅度控制器

Peregrine半導體公司在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產品中集成了一個90度混合分離器、移相器、數字步進衰減器以及一個數字SPI接口
2018-08-31 17:36:00724

UltraCMOS PE42524:行業中首個工作頻率高達40 GHz的射頻SOI開關

Peregrine半導體公司推出UltraCMOS PE42524,這是行業中第一個工作頻率高達40 GHz 的射頻 SOI開關。這種開關引人注目地把Peregrine的高頻產品陣容擴大到先前
2018-08-29 16:38:001839

物聯網的潛力為什么沒有發揮出

物聯網沒有發揮出它的潛力,因為從連網設備上獲得的數據沒有被用于持續改進。
2019-07-11 10:48:09578

恩智浦半導體推出UWB產品組合擴充的新型汽車UWB芯片

恩智浦半導體宣布一項UWB產品組合的擴充——推出一種新型汽車UWB芯片。恩智浦UWB技術提供精確、安全、實時的定位功能,這是其他無線技術(如Wi-Fi、藍牙和GPS)無法比擬的。
2019-11-15 09:12:263302

半導體制冷散熱系統的分析,它的性能和分類的介紹

隨著社會的不斷發展,半導體作為電子材料在生產生活中應用廣泛,促進了各領域的發展。我們應該對半導體材料的性能有全面的了解,這樣才能夠更好地發揮半導體材料的作用。在制冷散熱系統中,散熱效果影響著半導體
2020-08-19 16:53:013676

湖南科技大學材料學院在半導體器件散熱領域取得新進展

氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優勢。然而,散熱問題是制約其發展和應用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁(AlN)作為過渡層連接到具有高導熱系數的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570

無線時代的RF半導體工藝你知道多少?

半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
2023-06-30 09:24:30369

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上?

第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優勢,從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看,第三代半導體均比硅材料優秀,因此,第3代半導體的引入可以很好地解決現如今硅材料的不足,改善器件的散熱、導通損耗、高溫、高頻等特性,被譽為光電子和微電子等產業新的發動機。
2023-08-18 09:37:14428

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