--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**型號:** SI4429EDY-T1-E3-VB
**絲印:** VBA2311
**品牌:** VBsemi
**技術參數:**
- **溝道類型:** P—Channel
- **最大承受電壓:** -30V
- **最大電流:** -11A
- **導通電阻:** RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- **閾值電壓:** Vth=-1.42V
**封裝:** SOP8
**詳細技術參數說明:**
SI4429EDY-T1-E3-VB是一款P—Channel溝道MOSFET,其最大承受電壓為-30V,最大電流為-11A。其導通電阻在VGS=10V和VGS=20V時分別為10mΩ。閾值電壓為-1.42V。此器件采用SOP8封裝。
**應用簡介:**
SI4429EDY-T1-E3-VB適用于多種功率開關和電源管理應用,提供高性能和可靠性。
**應用示例:**
1. **電源開關模塊:** SI4429EDY-T1-E3-VB可應用于電源開關模塊,確保電源系統的高效工作。
2. **電動汽車電池管理:** 在電動汽車電池管理系統中,該器件可用于功率開關,提供高效的電池管理。
通過采用SI4429EDY-T1-E3-VB,您能夠在各種功率開關和電源管理應用中取得卓越性能和可靠性。
為你推薦
-
AP9960GM-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:27
產品型號:AP9960GM-VB 封裝:SOP8 溝道:Dual-N+N -
AP9960GM-HF-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:25
產品型號:AP9960GM-HF-VB 封裝:SOP8 溝道:Dual-N+N -
AP9960GJ-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:23
產品型號:AP9960GJ-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9960GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:22
產品型號:AP9960GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9960GD-VB一款Dual-N溝道DIP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:21
產品型號:AP9960GD-VB 封裝:DIP8 溝道:Dual-N -
AP9960AGM-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:20
產品型號:AP9960AGM-VB 封裝:SOP8 溝道:Dual-N+N -
AP9960AGM-HF-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:19
產品型號:AP9960AGM-HF-VB 封裝:SOP8 溝道:Dual-N+N -
AP9950GP-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:15
產品型號:AP9950GP-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
AP9950AGP-HF-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:14
產品型號:AP9950AGP-HF-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
AP9950AGH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:12
產品型號:AP9950AGH-HF-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N