特點
AON6236采用溝槽MOSFET技術，該技術經過專門優(yōu)化，可提供最高效的高頻開關性能。由于RDS（ON）和Crss的組合極低，功率損耗降至最低。此外，切換行為得到了很好的控制
描述
A.RθJA的值是用安裝在1in2 FR-4板上的裝置測量的，帶有2oz。銅，在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。功率耗散PDSM基于RθJA和150°C的最大允許結溫。任何給定應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。B.功率耗散PD基于TJ（MAX）=150°C，使用結-殼熱阻，在使用額外散熱的情況下設置耗散上限更有用。C.重復額定值，脈沖寬度受結溫TJ（MAX）=150°C的限制。額定值基于低頻率和工作循環(huán)，以保持初始TJ=25°C。D.RθJA是從結到情況RθJC和情況到環(huán)境的熱阻之和。E.圖1至圖6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖獲得的，占空比最大為0.5%。這些曲線基于結-殼熱阻抗，假設最大結溫度為TJ（max）=150°C，用安裝在大型散熱器上的設備測量該熱阻抗。SOA曲線提供單個脈沖額定值。G.最大額定電流受封裝限制。H.這些測試是在設備安裝在1 in2 FR-4板上的情況下進行的，板上有2 oz。銅，在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。
