Q MEMS振蕩器YSO690PR 25MHZ 3.3V ±20PPM -40~85℃ CMOS+NC O9322525MEDI4SI

MEMS振蕩器晶體振蕩器晶振有源晶振石英晶體振蕩器

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

YXC-YSO690PR-datesheet V2.0 (240131).pdf

--- 產品詳情 ---

*1-200MHz頻率任意編程，并精確輸出到小數(shù)點后6位

*2秒快速出樣，24h-48h批量快速交貨，降低備貨風險

*低抖動，低功耗

*在工溫范圍內，總頻差達到±30PPM

*符合RoHS標準，綠色環(huán)保

*應用于路由器、交換機、對講機、充電樁、打印機等

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產品文章資料

Q MEMS石英溫補晶振YSO511PJ 100MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-100M2024-08-29 14:30

產品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補振蕩器YSO511PJ 33.33MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-33.33M2024-08-29 14:28

產品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補振蕩器YSO511PJ 40MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-40M2024-08-29 14:26

產品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補振蕩器YSO511PJ 80MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-80M2024-08-29 14:23

產品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補振蕩器YSO511PJ 10MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-10M2024-08-29 14:20

產品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
表晶YSX146GA 32.768KHZ 6PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KID4GI2024-08-29 14:17

產品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 7PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KJD4GI2024-08-29 14:14

產品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 9PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KLD4GI2024-08-28 10:06

產品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±10PPM -40~85℃ X701532768KGB4GI2024-08-28 09:59

產品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±20PPM -40~85℃ XKYGI-SUG-32.768K2024-08-28 09:56

產品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC

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晶振的振蕩本質上是一種機械振動（在壓電晶體層面）。當兩個晶振靠得很近時，它們的機械振動可能會相互影響。一個晶振的振動可能會通過電路板或者外殼等介質傳遞給另一個晶振，從而改變另一個晶振的振動特性。

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晶振的頻率和振幅是兩個獨立的參數(shù)，它們之間沒有直接的固定關系。但在實際應用中，它們會相互影響并共同決定晶振的性能和應用場景。因此，在選擇晶振時，需要根據(jù)具體的應用需求來綜合考慮這兩個參數(shù)以及其他相關因素。

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晶體元件的負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容，即晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。

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可編程晶振的關鍵技術——鎖相環(huán)原理講解2024-12-30 14:33

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