--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 23NM50N-VB TO220F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
23NM50N-VB TO220F 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI 技術(shù)制造,具有高漏極電壓和電流處理能力。封裝為T(mén)O220F,適用于高壓、高性能的電源開(kāi)關(guān)和電機(jī)控制應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:20A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源開(kāi)關(guān)**:
23NM50N-VB TO220F 在高壓電源開(kāi)關(guān)中表現(xiàn)優(yōu)異,例如工業(yè)電源、UPS、電動(dòng)汽車充電樁等。其高漏極電壓和電流處理能力可以確保系統(tǒng)在高電壓條件下的穩(wěn)定工作。
2. **電機(jī)控制**:
在工業(yè)電機(jī)、電動(dòng)汽車和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,該MOSFET可以用作電機(jī)控制器的開(kāi)關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能夠提供高效的電機(jī)控制和穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
3. **電力傳輸和分配**:
23NM50N-VB TO220F 適用于電力傳輸和分配系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)控制,如變壓器、逆變器和開(kāi)關(guān)電源。其高性能和可靠性可以提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
4. **電力電子**:
該產(chǎn)品還適用于各種電力電子設(shè)備,如變頻器、電力調(diào)節(jié)器和電力控制器。其高性能和可靠性可以確保設(shè)備在高壓、高電流環(huán)境下的穩(wěn)定工作。
綜上所述,23NM50N-VB TO220F MOSFET 在高壓、高性能的應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色,具有廣泛的適用性,可以提高系統(tǒng)的性能和可靠性。
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