### AP01L60H-H-VB 產品簡介

**型號：** AP01L60H-H-VB  
**封裝：** TO252  
**配置：** 單N溝道MOSFET  
**技術：** SJ_Multi-EPI

AP01L60H-H-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，具有高電壓承受能力和穩定的導通特性。其TO252封裝適合于低功率高壓應用，尤其適用于需要高效能量轉換和可靠性的領域。

### 詳細參數說明

- **漏極-源極電壓（VDS）：** 700V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 2A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

1. **LED驅動電源：** AP01L60H-H-VB 適用于LED驅動電源中的高壓開關模塊，能夠在小功率、高效率的驅動電源中提供穩定的電能轉換和控制。

2. **電池管理系統：** 在電池管理系統中，該MOSFET可以作為高壓開關器件，幫助管理和控制電池的充放電過程，提高系統的可靠性和效率。

3. **小型電源適配器：** AP01L60H-H-VB 可用于小型電源適配器中的高壓開關，提供可靠的電能轉換和保護功能，確保適配器的穩定輸出。

4. **電力監測設備：** 適用于電力監測設備中的高壓控制模塊，該MOSFET能夠在高壓環境下提供穩定的開關操作，支持設備的精確監測和控制。

5. **家庭電子設備：** 在一些家庭電子設備中，AP01L60H-H-VB可以用于高壓功率控制，如用于智能家居設備的電源管理模塊中，確保設備的高效運行和可靠性。

AP01L60H-H-VB MOSFET通過其可靠的高壓開關性能和廣泛的應用領域，成為各類電子設備和電源管理系統中的理想選擇，為設計和應用提供了高效的解決方案。