--- 產品參數 ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
APM4550J-VB 是一種集成在 DIP8 封裝內的雙通道 MOSFET(N溝道 + P溝道)。該器件采用溝槽技術制造,具備低導通電阻和較高的電流承載能力,非常適合用于電源管理和負載開關應用。APM4550J-VB 的設計旨在提供優異的開關性能和高效率,滿足現代電子設備的需求。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:DIP8
- **配置**:雙通道(N溝道 + P溝道)
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:±1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V: 30mΩ(N溝道),
- VGS = 10V: 25mΩ(N溝道)
- **漏極電流 (ID)**:7.2A(N溝道),-5A(P溝道)
- **技術**:溝槽技術

### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理和開關電源**:
- APM4550J-VB 在開關電源和 DC-DC 轉換器中表現出色,能夠有效地控制電流流動,確保高效的電能轉換。其低導通電阻減少了功率損耗,提高了系統的整體效率。
2. **電池保護電路**:
- 該 MOSFET 適合用于電池管理系統中的過流保護和充電管理。其高電流承載能力和低 RDS(ON) 能夠有效保護電池免受過流和過熱損害,同時支持快速充電過程。
3. **電機驅動應用**:
- APM4550J-VB 可用于電機驅動電路,包括電機的速度控制和方向控制。其雙通道配置使其能夠驅動多個電機,簡化了電路設計并提高了系統的整體性能。
4. **負載開關和信號切換**:
- 該 MOSFET 也適用于負載開關和信號切換應用。其低導通電阻和較高的開關速度使其在負載開關中表現出色,提供穩定和高效的開關操作。
APM4550J-VB 的優越性能和多功能特性使其在各種電子設備中非常實用,特別是在需要高效電源管理和可靠開關操作的應用場景中。
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