--- 產品參數 ---
- 技術 碳化硅上的氮化鎵
- 應用行業 雷達、軍事、無線基礎設施
- 應用 航空電子設備、移動設備
- 連續波/脈沖 連續波,脈沖
- 頻率 直流至 6 GHz
--- 產品詳情 ---
MACOM 的 NPTB00004B 是一款 GaN 功率晶體管,工作頻率范圍為 DC 至 6 GHz。它提供 5 W (~37.1 dBm) 的飽和輸出功率,具有 16 dB 的小信號增益和 63.7% 的漏極效率。該晶體管支持 CW、脈沖和線性操作。它采用工業標準 SOIC 塑料封裝,尺寸為 4.9 x 3.9 x 1.47 mm,需要 28 V 直流電源。該晶體管適用于國防通信、陸地移動無線電、航空電子設備、無線基礎設施、ISM 和 VHF /UHF/L/S 波段雷達應用。
產品規格
產品詳情
零件號
NPTB00004B
制造商
馬康
描述
從 DC 到 6 GHz 的 5 W GaN 功率晶體管
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
碳化硅上的氮化鎵
應用行業
雷達、軍事、無線基礎設施
應用
航空電子設備、移動設備
連續波/脈沖
連續波,脈沖
頻率
直流至 6 GHz
力量
37 dBm (Psat)
功率(W)
5 瓦(Psat)
小信號增益
16分貝
功率增益 (Gp)
12.8 至 14.8 分貝
電源電壓
28 伏
當前的
50毫安
排水效率
45 至 57 %
漏電流
1.4A
漏極漏電流 (Id)
2毫安
柵極漏電流 (Ig)
1毫安
包裝類型
表面貼裝
包裹
SOIC 塑封
RoHS
是的
年級
商業、軍事
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