--- 產品參數 ---
- 晶體管類型 HEMT
- 技術 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
- 應用行業 雷達、無線基礎設施
- 連續波/脈沖 脈沖,連續波
- 頻率 直流至 18 GHz
--- 產品詳情 ---
UMS 的 CHK8015-99F 是一款氮化鎵高電子遷移率晶體管,工作頻率高達 18 GHz。它提供 20 瓦的功率和 17 dB 的信號增益和 68% @ 9 GHz 的功率附加效率。該器件需要 30 V 電源,專為各種射頻電源應用而設計。它以裸片形式提供,尺寸為 0.88 x 2 x 0.1 mm。該電路采用 SiC 襯底上的 0.25μm 柵極長度 GaN HEMT 技術制造,需要外部匹配電路。
用于下一代 SSPA 的 GaN 功率塊
UMS 推出一系列新的裸片 GaN 電源棒
- 大功率
- 高效率
- 寬帶能力
- 兼容脈沖和 CW 操作模式
這些設備可以根據特定要求在系統中進行優化:PAE、功率、魯棒性……為了微調整體性能,我們的 ULRC 技術可在代工模式下使用,可以設計所需的匹配元件。
UMS 電源條還提供密封、塑料或法蘭封裝。
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CHK8015-99F | CHK8101-99F | CHK9014-99F | CHK9013-99F | CHKA012-99F | |
Nb 細胞 | 4 | 2 | 8 | 8 | 8 |
最大頻率 (GHz) | 18 | 6 | 13 | 7 | 4 |
最大噘嘴 (W) | 16 | 20 | 55 | 85 | 140 |
PAE* | 65%@9GHz | 60%@6GHz | 50%@12GHz | 69%@5GHz | 65%@3GHz |
技術 | GH25 | GH50 | GH25 | GH25 | GH50 |
尺寸(毫米) | 0.88x2x0.1 | 1.05×1.55×0.1 | 0.88×4.27×0.1 | 0.9×4.27×0.1 | 1×4.84×0.1 |
- 在演示板上實現
這些設備可以根據特定要求在系統中進行優化:PAE、功率、魯棒性……為了微調整體性能,我們的 ULRC 技術可在代工模式下使用,可以設計所需的匹配元件。
UMS 電源條還提供密封、塑料或法蘭封裝。
產品規格
產品詳情
零件號
CHK8015-99F
制造商
聯合單片半導體
描述
從 DC 到 18 GHz 的 20 W 功率晶體管
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業
雷達、無線基礎設施
連續波/脈沖
脈沖,連續波
頻率
直流至 18 GHz
力量
42.04 分貝
功率(W)
16 瓦
飽和功率
20 瓦
小信號增益
17分貝
功率附加效率
0.68
電源電壓
30 伏
閾值電壓
80 伏
漏柵電壓
120 伏
擊穿電壓 - 漏源
30 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-3.3 至 -20 V
漏電流
1個
靜態漏極電流
0.2 至 0.46 A
柵極漏電流 (Ig)
-0.8 毫安
結溫 (Tj)
200攝氏度
熱阻
6 度 C/W
包裝類型
死
RoHS
是的
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
筆記
柵極電流正向模式:0 至 16 mA,Pich Off 電壓:-4 至 -2.8 V,飽和漏極電流:3.6 A
CHA4253a98F
CHA8352-99F
CHA7618-99F
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CHA4350-QDG
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CHZ8012-QJA
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CHA5250-QDG
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CHA5266-99F
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CHA2080-98F
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