Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLK207XV 是一款射頻晶體管，頻率為 14.5 GHz，功率為 31.5 至 32.5 dBm，功率（W）為 1.41 至 1.78 W，P1dB 為 31.5 至 32.5 dBm，功率增益（Gp）為 5 至 6 dB。標簽： 芯片。FLK207XV 的更多細節可以在下面看到。
| 零件號 | FLK207XV |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FLK207XV 芯片是一種功率 GaAs FET，專為 Ku 波段頻率范圍內的通用應用而設計，因為它提供了卓越的功率、增益和效率。住友電工嚴格的質量保證計劃確保最高的可靠性和始終如一的性能 |
| 1dB 壓縮功率 P1dB (dBm) | 32.5 |
|---|---|
| 1dB 壓縮增益 G1dB (dB) | 6 |
| 頻率 f (GHz) | 14.5 |
| 功率附加效率 η add (%) | 27 |
| 漏極電壓 VDS (V) | 10 |
| 漏極電流 lDS (mA) | 480 |
| 應用 | Ku波段放大器 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C 過孔 PHS（鍍層散熱片） |
產品規格
產品詳情
零件號
FLK207XV
制造商
住友電工設備創新
描述
14.5 GHz，增益 GaAs FET
一般參數
晶體管類型
場效應管
技術
砷化鎵
申請類型
古樂隊
頻率
14.5GHz
力量
31.5 至 32.5 dBm
功率(W)
1.41 至 1.78 瓦
P1dB
31.5 至 32.5 dBm
功率增益 (Gp)
5 到 6 分貝
功率附加效率
0.27
電壓 - 柵源 (Vgs)
-5 伏
漏電流
800 至 1200 毫安
熱阻
10 到 12 攝氏度
包裝類型
芯片
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
夾斷電壓：-3.5 至 -1 V，通道溫度：175 攝氏度
SMM5730XZ
SMM5731XZ
SMM5729XZ
SMM5728XZ
FMM5715X
FMM5704X
FMM5820X
SMM5727XZ
FMM5804X
SMM5846X
EMM5840X
FMM5716X
SMM5724XZ
FMM5714X
FMM5701X
FMM5703X
SMM5722XZ
SMM5723XZ
SMM5850XZ
FMM5709X
SMM5849XZ
EMM5832VU
EMM5074X
EMM5838V1B
EMM5068X
SMM5848XZ
EMM5075X
EMM5717X
EMM5078X
FMM5822X
SMM5855V1D
SMM5846V1D
EMM5079X
EMM5834X
FMM5059VU
FMM5822VU
SMM5085V1B
EMM5068VU
EMM5081V1B
SMM5845V1B
EMM5075VU
FMM5059VF
FMM5061VF
EMM5079ZB
