Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX14X 是一款射頻晶體管，頻率 12 GHz，功率 14 dBm，功率 (W) 0 至 0.03 W，增益 11 至 13 dB，噪聲系數 0.55 至 0.6 dB。標簽： 芯片。FHX14X 的更多細節可以在下面看到。
| 零件號 | FHX14X |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FHX13X、FHX14X 是超高電子遷移率晶體管 (SuperHEMTTM)，適用于 2-18GHz 頻率范圍內的通用、超低噪聲和高增益放大器。這些器件非常適合電信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪聲應用。住友電工嚴格的質量保證計劃可確保最高的可靠性和始終如一的性能。 |
| 噪聲系數 NF Typ. （D b） | 0.55 |
|---|---|
| 相關增益氣體典型值。（D b） | 13 |
| 漏極電壓 VDS (V) | 2 |
| 漏極電流 lDS (mA) | 10 |
| 頻率 f (GHz) | 12 |
| 應用 | 低噪聲放大器 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C 常規芯片 |
產品規格
產品詳情
零件號
FHX14X
制造商
住友電工設備創新
描述
12 GHz、11 至 13 dB 增益 GaAs HEMT
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
砷化鎵
應用行業
衛星通信
頻率
12GHz
力量
14分貝
功率(W)
0 至 0.03 瓦
獲得
11 至 13 分貝
噪聲系數
0.55 至 0.6 分貝
電源電壓
2伏
輸入功率
-10 至 8 dBm
漏電流
10 至 60 毫安
熱阻
220 至 300 度 C/W
包裝類型
芯片
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
柵源擊穿電壓：-0.3 V
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
SGK5867-100A/001
SGK6472-60A
SGK5867-30A
SGK7785-60A
