--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 12GHz
- 力量 17分貝
- 功率(W) 0 至 0.05 瓦
- 獲得 8.5 至 10 分貝
- 噪聲系數(shù) 1.2 至 1.6 分貝
--- 產(chǎn)品詳情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX35LP 是一款射頻晶體管,頻率為 12 GHz,功率為 17 dBm,功率(W)為 0 至 0.05 W,增益為 8.5 至 10 dB,噪聲系數(shù)為 1.2 至 1.6 dB。標(biāo)簽:表面貼裝。有關(guān) FHX35LP 的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見下文。
零件號(hào) | FHX35LP |
---|---|
功能 | 超低噪聲 HEMT |
特征 |
|
描述 | FHX35LP 是一款高電子遷移率晶體管 (HEMT),適用于 2-18GHz 頻率范圍內(nèi)的通用、低噪聲和高增益放大器。該器件采用經(jīng)濟(jì)高效、低寄生、氣密密封 (LG) 或環(huán)氧樹脂密封 (LP) 金屬陶瓷封裝,適用于大容量電信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪聲應(yīng)用。住友電工嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃可確保最高的可靠性和始終如一的性能。 |
噪聲系數(shù) NF Typ. (D b) | 1.2 |
---|---|
相關(guān)增益氣體典型值。(D b) | 10 |
漏極電壓 VDS (V) | 3 |
漏極電流 lDS (mA) | 10 |
頻率 f (GHz) | 12 |
應(yīng)用 | 低噪聲放大器、混音器、GPS |
筆記 | Tc(op)=+25°C |
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
FHX35LP
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
12 GHz、8.5 至 10 dB 增益 GaAs HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
砷化鎵
應(yīng)用行業(yè)
衛(wèi)星通信
頻率
12GHz
力量
17分貝
功率(W)
0 至 0.05 瓦
獲得
8.5 至 10 分貝
噪聲系數(shù)
1.2 至 1.6 分貝
電源電壓
3伏
輸入功率
-5 至 10 dBm
漏電流
15 至 85 毫安
熱阻
220 至 300 度 C/W
包裝類型
表面貼裝
包裹
LP
方面
4.78 × 4.78 × 1.3
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
柵源擊穿電壓:-0.3 V
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
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