Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGFCF20T-D 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 3.7 GHz，功率 38 dBm，功率 (W) 6.31 W，飽和功率 40 至 41 dBm，功率增益 (Gp) 18.5 至 19.5 dB。標簽：表面貼裝。有關 SGFCF20T-D 的更多詳細信息，請參見下文。
| 零件號 | SGFCF20T-D |
|---|---|
| 功能 | 高壓 - 塑料 GaN-HEMT 雙器件 |
| 特征 |
|
| 描述 | 住友電工的 GaN-HEMT 為工作電壓為 50V 的高功率 L 波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。該器件的目標應用是基站收發器的微蜂窩的驅動階段和最后階段。 |
| 單/雙 | 雙胞胎 |
|---|---|
| 操作頻率 (GHz) | DC-3.7 |
| 測量頻率 (GHz) | 2.65 |
| 典型值。(dBm) *1 | 41 |
| 噘嘴 (平均) (dBm) *2 | 27.5 |
| Gp @Pout(Ave.) 典型值。(分貝) *2 | 19.5 |
| ηd @Pout(Ave.) 典型值。(%) *2 | 13.5 |
| VDS (V) | 50 |
| IDS (直流) (毫安) | 50 |
| Rth典型值。(°C/W) *3 | 10 |
| 筆記 | *1: 10%-duty RF 脈沖(直流電源常數) *2: Pout=(Ave.) , W-CDMA(3GPP3.4 12-00)BS-1 64ch 85% 削波調制(PAR=8.5dB@0.01 %) *3：抽樣測試：樣本大小 10 件。Criteria(accept / reject)=(0 / 1) 一條路徑的規格 注：Tc (op)=+25°C |
產品規格
產品詳情
零件號
SGFCF20T-D
制造商
住友電工設備創新
描述
DC 至 3.7 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業
無線基礎設施
應用
WCDMA、LTE、基站
頻率
直流至 3.7 GHz
力量
38分貝
功率(W)
6.31 瓦
飽和功率
40 至 41 dBm
功率增益 (Gp)
18.5 至 19.5 分貝
電源電壓
50 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
11.5 至 13.5%
功耗 (Pdiss)
13.5 瓦
熱阻
10 至 11.5 攝氏度/W
包裝類型
表面貼裝
RoHS
是的
貯存溫度
-40 至 125 攝氏度
筆記
正向柵極電流：23 mA，反向柵極電流：-0.3 mA
FLC097WF
FLX207MH-12
FLC257MH-8
FLC087XP
FLC257MH-6
FLL400IP-2
FLK057WG
FLK107MH-14
FLU10ZME1
FLU35XM
FLM1415-3F
FLU10XM
FLU17ZME1
FLL177ME
FLL107ME
FLL57MK
FLU17XM
FLM1415-4F
FLM1415-6F
FLU35ZME1
FLM1415-8F
FLM1414-12F
ELM1414-30F/001
FLL357ME
ELM1314-30F/001
FLM1414-4F
FLM1414-3F
FLM1314-12F
FLM1314-18F
FLM1414-8F
FLM1414-6F
ELM1314-9F
FLM1314-6F
FLM1213-4F
FLM0910-4F
FLM1213-6F
FLM1213-12F
FLM0910-15F
FLM1011-8F
FLM1011-6F
FLM1314-8F
FLM1011-20F
FLM0910-3F
FLM1011-3F
