Qorvo 的 QPD1006 是一款 GaN-on-SiC HEMT 晶體管，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz。它提供 313 瓦的 CW 輸出功率，增益為 17.5 dB，脈沖功率為 468 瓦，增益為 17.8 dB，漏極效率超過 55%。

該器件內部匹配 50 歐姆，采用行業標準的氣腔封裝。這種符合 RoHS 標準的 GaN IMFET 晶體管非常適合軍用和民用雷達應用，并且可以支持脈沖和 CW 操作。

產品規格

產品詳情

零件號             QPD1006

制造商             科爾沃

描述               GaN-on-SiC HEMT 晶體管從 1.2 到 1.4 GHz

一般參數

晶體管類型      HEMT

技術                碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業          航空航天與國防，雷達

連續波/脈沖     脈沖，連續波

頻率               1.2 至 1.4 GHz

力量               54.96 dBm（CW，3dB 壓縮），56.7 dBm（脈沖

功率(W)          313 W（CW，3dB 壓縮），468 W（脈沖

脈沖寬度         100 我們

占空比            10%

獲得               17.5 分貝（連續），17.8 分貝（脈沖）

電源電壓        45 V（CW），50 V（脈沖）

當前的           750毫安

包裝類型       陶瓷制品

RoHS            是的

工作溫度       -40 至 85 攝氏度

貯存溫度       -65 至 150 攝氏度

相關型號

CMD161                 CMD119P3            CMD160              CMD163

CMD167                 CMD171P4            CMD132              CMD159

CMD169P4              CMD157P3             CMD162              CMD157

QPQ4900               QPQ1028              QPQ3500              QPQ3501

880272                 QPQ1298              QPQ1906              QPQ1905