--- 產品參數 ---
- 頻率 3.1 至 3.5 GHz
- 力量 56.53 分貝
- 功率(W) 449.78 瓦
- 飽和功率 56.6 分貝
- 脈沖寬度 100 我們
--- 產品詳情 ---
Qorvo 的 QPD1017 是一款內部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 3.1 至 3.5 GHz。它提供 56.6 dBm (457 W) 的飽和輸出功率,增益為 16.5 dB,PAE 為 60%。該晶體管需要 50 V 的電源電壓并消耗高達 750 mA 的電流。它是完全匹配 50 歐姆的 GaN IMFET,采用行業標準氣腔封裝,非常適合軍用雷達、民用雷達和測試儀器。
產品規格
產品詳情
零件號 QPD1017
制造商 科爾沃
描述 3.1 至 3.5 GHz 的 450 W GaN RF IMFET
一般參數
晶體管類型 HEMT
技術 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業 雷達、航空航天與國防、測試與測量
應用 軍隊
連續波/脈沖 脈沖,連續波
頻率 3.1 至 3.5 GHz
力量 56.53 分貝
功率(W) 449.78 瓦
飽和功率 56.6 分貝
脈沖寬度 100 我們
占空比 0.1
獲得 16.5分貝
電源電壓 28 至 55 伏
電壓 - 柵源 (Vgs) -2.8 伏
漏極偏置電流 750毫安
靜態漏極電流 750毫安
阻抗 Z 50 歐姆
包裝類型 表面貼裝
RoHS 是的
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