Qorvo 的 TGF2979-SM 是一種 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為直流至 12 GHz。它提供 22 瓦的輸出功率和 11 dB 的線性增益，在 9.4 GHz 時(shí)的功率附加效率為 45%。該器件采用 TQGaN25 工藝開(kāi)發(fā)，采用先進(jìn)的場(chǎng)板技術(shù)，可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。這種優(yōu)化可以通過(guò)更少的放大器陣容和更低的熱管理成本來(lái)潛在地降低系統(tǒng)成本。它采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 x 4 mm 表面貼裝 QFN 封裝，非常適合軍用和商業(yè)雷達(dá)應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號(hào)               TGF2979-SM

制造商               科爾沃

描述                  22 W GaN 晶體管，從 DC 到 12 GHz

一般參數(shù)

晶體管類(lèi)型      HEMT

技術(shù)                碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)         航空航天與國(guó)防

應(yīng)用               軍事、商業(yè)、航空電子

連續(xù)波/脈沖   脈沖，連續(xù)波

頻率              直流至 12 GHz

力量             43.98 分貝

功率(W)       25 瓦

飽和功率      43.4 分貝

脈沖寬度     100 我們

占空比         0.1

獲得           11分貝

電源電壓    32 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.7 伏

靜態(tài)漏極電流    150毫安

包裝類(lèi)型          表面貼裝

包裹                4 x 3 毫米

RoHS             是的

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