MASW-002102-13580
帶偏置的HMIC? Si PIN 二極管
MASW-002102-13580 和 MASW-003102-13590 器件是帶有集成偏置網(wǎng)絡(luò)的 SP2T 和 SP3T 寬帶開關(guān)，采用 MACOM 的 HMIC?（雜石微波集成電路）工藝，美國(guó)專利 5,268,310。該工藝允許通過(guò)將硅基座嵌入低損耗、低色散玻璃中，從而形成串聯(lián)和并聯(lián)二極管或通孔。通過(guò)在元件之間使用小間距，硅和玻璃的這種組合使 HMIC? 設(shè)備具有低損耗和高隔離性能，并在低毫米頻率下具有出色的可重復(fù)性。大焊盤便于使用低電感帶狀鍵合，而金背面金屬化允許通過(guò) 80/20 - Au/Sn、62/36/2 - Sn/Pb/Ag 焊料或?qū)щ娿y環(huán)氧樹脂進(jìn)行手動(dòng)或自動(dòng)芯片鍵合。
帶偏置的HMIC? Si PIN 二極管
MASW-002102-13580 和 MASW-003102-13590 器件是帶有集成偏置網(wǎng)絡(luò)的 SP2T 和 SP3T 寬帶開關(guān)，采用 MACOM 的 HMIC?（雜石微波集成電路）工藝，美國(guó)專利 5,268,310。該工藝允許通過(guò)將硅基座嵌入低損耗、低色散玻璃中，從而形成串聯(lián)和并聯(lián)二極管或通孔。通過(guò)在元件之間使用小間距，硅和玻璃的這種組合使 HMIC? 設(shè)備具有低損耗和高隔離性能，并在低毫米頻率下具有出色的可重復(fù)性。大焊盤便于使用低電感帶狀鍵合，而金背面金屬化允許通過(guò) 80/20 - Au/Sn、62/36/2 - Sn/Pb/Ag 焊料或?qū)щ娿y環(huán)氧樹脂進(jìn)行手動(dòng)或自動(dòng)芯片鍵合。
特征
- 指定高達(dá) 18 GHz 的寬帶寬
- +25°C 時(shí)高達(dá) 33 dBm 的 CW 功率處理
- 玻璃封裝結(jié)構(gòu)
- 完全單片
- 崎嶇
- 低插入損耗/高隔離
- 綜合偏置網(wǎng)絡(luò)
- 最高可達(dá) 26 GHz
- 260°C 回流兼容
- 符合 RoHS*
MASWSS0191 MASW-008330 MASWSS0136
MASW-011036 MASWCC0006 MASWSS0144
MASWCC0009 MASWSS0204 MASW-011043
MASW-005102-13600 MASWSS0103 MASW-002102-13580
MASWSS0179 NPTB00004B MAGX-100027-015S0P
MAGX-101214-500L00 MAMG-102933-030 MAMG-103135-085
MAGX-102731-180 MAMG-100227-010 MAPG-102730-400
