--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 零件號(hào) MASW-010646
- 描述 Ka波段高功率反射式SPDT PIN開(kāi)關(guān)
- 最小頻率(MHz) 26000
- 最大頻率(MHz) 40000
- 隔離度(dB) 39
- 插入損耗 (dB) 0.600
- IIP3(dBm) 60
- CW入射功率(W) 13.0
- 包裝類別 模具/凸塊模具
--- 產(chǎn)品詳情 ---
MASW-010646
Ka波段高功率反射式SPDT PIN開(kāi)關(guān)
MASW-010646 是一款高功率 SPDT。這種寬帶、反射式、高線性度的 SPDT 開(kāi)關(guān)專為需要高達(dá) 13 W 功率處理能力同時(shí)保持低插入損耗和高隔離度的 Ka 波段應(yīng)用而開(kāi)發(fā)。SPDT MMIC 采用了 MACOM 久經(jīng)考驗(yàn)的 AlGaAs PIN 二極管技術(shù)。該開(kāi)關(guān)采用氮化硅完全鈍化,并添加了聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過(guò)程中損壞接頭和陽(yáng)極空氣橋。管芯具有背面金屬化以促進(jìn)環(huán)氧樹(shù)脂管芯連接工藝。
Ka波段高功率反射式SPDT PIN開(kāi)關(guān)
MASW-010646 是一款高功率 SPDT。這種寬帶、反射式、高線性度的 SPDT 開(kāi)關(guān)專為需要高達(dá) 13 W 功率處理能力同時(shí)保持低插入損耗和高隔離度的 Ka 波段應(yīng)用而開(kāi)發(fā)。SPDT MMIC 采用了 MACOM 久經(jīng)考驗(yàn)的 AlGaAs PIN 二極管技術(shù)。該開(kāi)關(guān)采用氮化硅完全鈍化,并添加了聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過(guò)程中損壞接頭和陽(yáng)極空氣橋。管芯具有背面金屬化以促進(jìn)環(huán)氧樹(shù)脂管芯連接工藝。
特征
- 寬帶性能,26 至 40 GHz
- 包括直流模塊和射頻偏置網(wǎng)絡(luò)
- 采用 GSG 射頻焊盤和直流偏置焊盤的芯片
- 高達(dá) 13 W CW 功率,+85°C
- 低損耗:0.6 dB
- 高隔離度:32 分貝
MASW-003100-1192 MASW-007587-000000 MA4SW310B-1
MA4SW510 MASW-000825-12770T MASW-007935-000000
MASW-007588-000000 MASWSS0143 MA4SW410B-1
MASW6030G MASW-007074-000100 MASW-008206-000DIE
MASW-007075-000100 MASW-004103-1365 MA4AGSW1
MASWSS0181 MASW-010646 MASWSS0157
MASW-008801 MASW-001150-1316 MASW-008853-000000
MASW20000 MASW-001100-1190 MASW-009588
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