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深圳市鑫瑯圖科技有限公司

射頻微波器件代理銷售

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DU28120T是射頻功率 MOSFET 晶體管 120W,2-175MHz,28V 數字金屬氧化物半導體

型號: DU28120T

--- 產品參數 ---

  • 零件號 DU28120T
  • 最小頻率(MHz) 2
  • 最大頻率(MHz) 175
  • 偏壓(V) 28.0
  • 增益(分貝) 13:00

--- 產品詳情 ---

DU28120T

射頻功率 MOSFET 晶體管 120W,2-175MHz,28V

數字金屬氧化物半導體

 

射頻功率 MOSFET 晶體管 120W,2-175MHz,28V

 

數字金屬氧化物半導體

 

特征

  • N溝道增強型器件
  • 比雙極器件更低的噪聲系數
  • 高飽和輸出功率
  • 用于寬帶操作的較低電容
  • DMOS結構

 

 

 

產品規格

零件號

 

DU28120T

描述

 

射頻功率 MOSFET 晶體管 120W,2-175MHz,28V

最小頻率(MHz)

 

2個

最大頻率(MHz)

 

175

偏壓(V)

 

28.0

噘嘴(W)

 

120.00

增益(分貝)

 

13:00

效率(%)

 

60

類型

 

數字金屬氧化物半導體

包裹

 

法蘭陶瓷包

包裹類別

 

陶瓷法蘭安裝

 

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MRF422                      MRF151                     MRF275G

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