超低噪聲、低柵極電流、音頻、N 溝道 JFET
| Vn at 1 kHz (nV/rtHz) | 0.8 |
| Breakdown voltage (V) | 40 |
| VDS (V) | 40 |
| VGS (V) | -40 |
| VGSTH typ (V) | -1.2 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 超低噪聲：
- 電壓噪聲：
- 1kHz 時為 0.8nV/√Hz，IDS = 5mA
- 1kHz 時為 0.9nV/√Hz，IDS = 2mA
- 電流噪聲：1 kHz 時為 1.8fA/√Hz
- 電壓噪聲：
- 低柵極電流：10pA（最大值）
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低輸入電容：VDS = 5V 時為 24pF
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高柵漏電壓和柵源擊穿電壓：-40 V
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高跨導：68mS
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封裝：小型 SC70 和 SOT-23（預發布）
JFE150 是使用德州儀器 (TI) 的現代高性能模擬雙極工藝構建的 Burr-Brown? 分立式 JFET。JFE150 具有以前較舊的分立式 JFET 技術所不具備的性能。JFE150 提供出色的噪聲功率效率和靈活性，靜態電流可由用戶設置，并為 50μA 至 20mA 的電流提供出色的噪聲性能。當偏置電流為 5mA 時，該器件會產生 0.8nV/√Hz 的輸入參考噪聲，從而以極高的輸入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪聲性能。JFE150 還具有連接到獨立鉗位節點的集成二極管，無需添加高泄漏、非線性外部二極管即可提供保護。
JFE150 可承受 40V 的高漏源電壓，以及低至 –40V 的柵源電壓和柵漏電壓。該器件額定工作溫度范圍為 –40°C 至 + 125°C，并采用 5 引腳 SOT-23 和 SC-70 封裝。
