16MB 防輻射 SRAM
| Supply voltage (Min) (V) | 3 |
| Supply voltage (Max) (V) | 3.6 |
| Input type | Standard CMOS |
| Output type | 3-State |
| Clock Frequency (Max) (MHz) | 22 |
- 20ns 讀取，13.8ns 寫入（最大存取時間）
- 與商用
512K x 32 SRAM 器件功能兼容 - 內置 EDAC（錯誤偵測和校正）以減輕軟錯誤
- 用于自主校正的內置引擎
- CMOS 兼容輸入和輸出電平，3 態雙向數據總線
- 3.3 ± 0.3V I/O，1.8 ± 0.15V 內核
- 輻射性能 放射耐受性是一個基于最初器件標準的典型值。 輻射數據和批量驗收測試可用 - 細節請與廠家聯系。
- 設計使用基底工程和抗輻射 (HBD) 與硅空間技術公司 (SST) 許可協議下的 TM 技術和存儲器設計。
- TID 抗擾度 > 3e5 rad (Si)
- SER < 5e-17 翻轉/位-天
（使用 EDAC 和擦除的內核） 使用 CREME96 來計算用于與地同步軌道，太陽安靜期的 SER。 - 閉鎖抗擾度 > LET = 110 MeV
(T = 398K)
- 采用 76 引線陶瓷方形扁平封裝
- 可提供工程評估 (/EM) 樣品 這些部件只用于工程評估。 它們的加工工藝為非兼容流程（例如，無預燒過程等），并且只在 25°C 的溫度額定值下進行測試。 這些部件不適合于品質檢定、生產、輻射測試或飛行使用。 不擔保完全軍用額定溫度
-55°C 至 125°C 范圍內或使用壽命內的部件性能。
SMV512K32 是一款高性能異步 CMOS SRAM，由 32 位 524,288 個字組成。 可在兩種模式：主控或受控間進行引腳選擇。 主器件為用戶提供了定義的自主 EDAC 擦除選項。 從器件選擇采用按要求擦除特性，此特性可由一個主器件啟動。 根據用戶需要，可提供 3 個讀周期和 4 個寫周期（描述如下）。
