具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側 GaN 驅動器
| Number of channels (#) | 1 |
| Power switch | MOSFET, GaNFET |
| Peak output current (A) | 7 |
| Input VCC (Min) (V) | 4.75 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.25 |
| Features | low-side, ultra-fast |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Rise time (ns) | 0.4 |
| Fall time (ns) | 0.4 |
| Prop delay (ns) | 2.5 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | Inverting, Non-inverting |
| Input negative voltage (V) | 0 |
| Rating | Catalog |
| Undervoltage lockout (Typ) | 3.5 |
| Driver configuration | Low Side |
- 用于 GaN 和硅質 FET 的低側、超快柵極驅動器
- 1ns 最小輸入脈沖寬度
- 工作頻率高達 60MHz
- 傳播延遲：典型值 2.5ns，最大值 4.5ns
- 典型上升和下降時間 400ps
- 7A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
- 5V 電源電壓
- UVLO 和過熱保護
- 0.8mm × 1.2mm WCSP 封裝
LMG1020 器件是一款單通道低側驅動器，專為在高速 應用 （包括 LiDAR、飛行時間、面部識別和任何涉及低側驅動器的功率轉換器）中驅動 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 而設計。LMG1020 設計簡約，可實現 2.5 納秒的極快傳播延遲和 1 納秒的最小脈沖寬度。通過分別在柵極與 OUTH 和 OUTL 之間連接外部電阻器，可針對上拉和下拉沿來獨立調節驅動強度。
該驅動器 提供 過載或故障情況下的欠壓鎖定 (UVLO) 和過熱保護 (OTP)。
LMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封裝可最大限度地降低柵極回路電感并最大限度地提高高頻功率密度 要求。
