適用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和內部鉗位的汽車類 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅動器
| Number of channels (#) | 1 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | IGBT, SiCFET |
| Peak output current (A) | 10 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8400 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 33 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 13 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 90 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅動器
- 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
- 高達 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
- ±10A 驅動強度和分離輸出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 200ns 快速響應時間的 DESAT 保護
- 4A 內部有源米勒鉗位
- 發生故障時的 400mA 軟關斷
- 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
- 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應
- 高電壓直流鏈路或相電壓
- 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
- 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
- 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
- 具有高達 5V 的過沖/欠沖瞬態電壓抗擾度的輸入/輸出
- 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
- SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
- 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C
UCC21750-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，用于具有高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高級保護功能 功能、出色的動態性能和穩健性。UCC21750-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移、大于 150V/ns 的共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
UCC21750-Q1 具有高級保護功能 功能，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側電源 UVLO（用于優化 SiC 和 IGBT 開關行為）和穩健性。可以利用隔離式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進行溫度或電壓檢測，從而進一步提高驅動器的多功能性并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。
