適用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和內部米勒鉗位的 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅動器
| Number of channels (#) | 1 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | IGBT, SiCFET |
| Peak output current (A) | 10 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8400 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 33 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 13 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 90 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅動器
- 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
- 高達 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
- 高峰值驅動電流和高 CMTI
- 4A 內部有源米勒鉗位
- 發生故障時的 400mA 軟關斷
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
- 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
- SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
- 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C
UCC21750-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，用于具有高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高級保護功能 功能、出色的動態性能和穩健性。
輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移和高 CMTI。
