--- 產(chǎn)品詳情 ---
Number of channels (#) | 2 |
Isolation rating (Vrms) | 5700 |
Power switch | IGBT, MOSFET |
Peak output current (A) | 6 |
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8000 |
DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
Output VCC/VDD (Max) (V) | 25 |
Output VCC/VDD (Min) (V) | 9.2, 6.5 |
Input VCC (Min) (V) | 3 |
Input VCC (Max) (V) | 18 |
Prop delay (ns) | 19 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
Undervoltage lockout (Typ) | 5, 8 |
- 符合汽車應(yīng)用 要求
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果
- 器件溫度 1 級
- 器件 HBM ESD 分類等級 H2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C6
- 通用:雙路低側(cè)、雙路高側(cè)或半橋驅(qū)動(dòng)器
- 工作溫度范圍:–40 至 +125°C
- 開關(guān)參數(shù):
- 19ns 典型傳播延遲
- 10ns 最小脈沖寬度
- 5ns 最大延遲匹配度
- 6ns 最大脈寬失真度
- 共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 100 V/ns
- 浪涌抗擾度高達(dá) 12.8kV
- 隔離柵壽命 > 40 年
- 4A 峰值拉電流,6A 峰值灌電流輸出
- TTL 和 CMOS 兼容輸入
- 3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍,可連接數(shù)字和模擬控制器
- 高達(dá) 25V 的 VDD 輸出驅(qū)動(dòng)電源
- 5V 和 8V VDD UVLO 選項(xiàng)
- 可通過編程的重疊和死區(qū)時(shí)間
- 抑制短于 5ns 的輸入脈沖和噪聲瞬態(tài)
- 可針對電源排序快速禁用
- 安全相關(guān)認(rèn)證:
- 8000VPK 增強(qiáng)型隔離,符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 標(biāo)準(zhǔn)
- 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá) 1 分鐘的 5.7kVRMS 隔離
- 獲得 CSA 認(rèn)證,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
- 獲得 GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證
UCC21520-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。該器件設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播延遲和脈寬失真度。
輸入側(cè)通過一個(gè) 5.7kVRMS 增強(qiáng)型隔離層與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100V/ns。兩個(gè)二次側(cè)驅(qū)動(dòng)器之間采用內(nèi)部功能隔離,支持高達(dá) 1500 VDC 的工作電壓。
每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)死區(qū)時(shí)間 (DT) 可編程的半橋驅(qū)動(dòng)器。禁用引腳可同時(shí)關(guān)斷兩個(gè)輸出,在保持開路或接地時(shí)允許器件正常運(yùn)行。作為一種失效防護(hù)機(jī)制,初級側(cè)邏輯故障會(huì)強(qiáng)制兩個(gè)輸出為低電平。
每個(gè)器件接受高達(dá) 25V 的 VDD 電源電壓。憑借 3V 至 18V 的寬輸入電壓 VCCI 范圍,該驅(qū)動(dòng)器非常適合連接模擬和數(shù)字控制器。所有電源電壓引腳都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)功能。
憑借上述所有高級 功能,UCC21520-Q1 可以實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度和穩(wěn)健性。
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