| Number of channels (#) | 2 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | GaNFET, IGBT, MOSFET |
| Peak output current (A) | 6 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8000 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 25 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 9.2, 6.5 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 18 |
| Prop delay (ns) | 19 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 5, 8 |
- 通用：雙路低側(cè)、雙路高側(cè)或半橋驅(qū)動(dòng)器
- 工作溫度范圍：–40°C 至 +125°C
- 開(kāi)關(guān)參數(shù)：
- 19ns 典型傳播延遲
- 10ns 最小脈沖寬度
- 5ns 最大延遲匹配
- 6ns 最大脈寬失真
- 共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 浪涌抗擾度高達(dá) 12.8kV
- 隔離層壽命 > 40 年
- 4A 峰值拉電流、6A 峰值灌電流輸出
- TTL 和 CMOS 兼容輸入
- 3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍，可連接數(shù)字和模擬控制器
- 高達(dá) 25V 的 VDD 輸出驅(qū)動(dòng)電源
- 5V 和 8V VDD UVLO 選項(xiàng)
- 可通過(guò)編程的重疊和死區(qū)時(shí)間
- 抑制短于 5ns 的輸入脈沖和噪聲瞬態(tài)
- 電源定序快速禁用
- 業(yè)界通用的寬體 SOIC-16 (DW) 封裝
- 安全相關(guān)認(rèn)證：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 標(biāo)準(zhǔn)的 8000VPK 增強(qiáng)型隔離
- 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長(zhǎng)達(dá) 1 分鐘的 5.7kVRMS 隔離
- 獲得 CSA 認(rèn)證，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
- 獲得 CQC 認(rèn)證，符合 GB4943.1-2011 標(biāo)準(zhǔn)
UCC21520 和 UCC21520A 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。該器件設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET，具有一流的傳播延遲和脈寬失真度。
輸入側(cè)通過(guò)一個(gè) 5.7kVRMS 增強(qiáng)型隔離層與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100V/ns。兩個(gè)二次側(cè)驅(qū)動(dòng)器之間采用內(nèi)部功能隔離，支持高達(dá) 1500 VDC 的工作電壓。
每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)死區(qū)時(shí)間 (DT) 可編程的半橋驅(qū)動(dòng)器。禁用引腳 在設(shè)為高電平時(shí)可同時(shí)關(guān)斷兩個(gè)輸出，在保持開(kāi)路或接地時(shí)允許器件正常運(yùn)行。作為一種失效防護(hù)機(jī)制，初級(jí)側(cè)邏輯故障會(huì)強(qiáng)制兩個(gè)輸出為低電平。
每個(gè)器件接受高達(dá) 25V 的 VDD 電源電壓。憑借 3V 至 18V 的寬輸入電壓 VCCI 范圍，該驅(qū)動(dòng)器非常適合連接模擬和數(shù)字控制器。所有 電源電壓引腳都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)功能。
憑借所有這些高級(jí)特性，UCC21520 和 UCC21520A 可 在各類電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度和穩(wěn)健性。
