--- 產品詳情 ---
低功耗(低至 3.3μA)、低電壓(最高 5.5V)霍爾效應鎖存器
Type | Latch |
Supply voltage (Vcc) (Min) (V) | 1.65 |
Supply voltage (Vcc) (Max) (V) | 5.5 |
Operate point (Max) (mT) | 3.3 |
Release point (Min) (mT) | -3.3 |
Output | Push-pull output driver |
Operating temperature range (C) | -40 to 85 |
- 行業領先的低功耗特性
- 可通過引腳選擇的采樣率:
- SEL = 低電平:使用 1.3μA (1.8V) 時為 20Hz
- SEL = 高電平:使用 142μA (1.8V) 時為 2.5kHz
- VCC 工作電壓范圍為 1.65V 至 5.5V
- 高磁性靈敏度:±2mT(典型值)
- 可靠磁滯:4mT(典型值)
- 推挽式 CMOS 輸出
- 小型纖薄 X2SON 封裝
- 運行溫度范圍:–40°C 至 +85°C
DRV5012 器件是可通過引腳選擇采樣率的超低功耗數字鎖存器霍爾效應傳感器。 ?
當南磁極靠近封裝頂部并且超出 BOP 閾值時,該器件會驅動低電壓。輸出會保持低電平,直到應用北極并且超出 BRP 閾值,這將使輸出驅動高電壓。必須交換北極和南極才能切換輸出,且集成的磁滯會分開 BOP 和 BRP 以提供可靠切換。
通過使用內部振蕩器,DRV5012 器件對磁場進行采樣,并根據 SEL 引腳以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新輸出。這種雙帶寬特性可讓系統在使用最小功率的情況下監控移動變化。
此器件通過 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作,并采用小型 X2SON 封裝。
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