英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4
FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度可達150℃。低損耗，FF150R12KS4 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運行結溫等優點。主要應用在100KW光伏逆變器，電機驅動，電源等領域。
技術參數：
? Ic(A),Tc=80℃ 150
? Vce(sat),Max(V) 2.3
? Ton(us) 0.31
? Toff(us) 0.95
? Rth(j-c),K/W 0.135
? Pc(W) 1100
? 封裝 62mm
? 電路結構 半橋
性能概要：
? 提高工作溫度T(vj op)
? 無可比擬的耐用性
? V（CESAT）具有正溫度系數
? 低V（CESAT）
? 4KV AC 1分鐘絕緣
? CTI>400
? 高爬電距離和電氣間隙
? 隔離底板
? 標準封裝
優點：
? 靈活性
? 最佳的電氣性能
? 最高的可靠性
目標應用：
? 電機控制和驅動
? 風能系統解決方案
高能效組件和子系統的系統的高可靠性
? 太陽能系統解決方案
對于完整的太陽能電力解決方案的主導產品
? 牽引
