MAVR-011020-1411
可焊接 GaAs 恒定伽馬倒裝芯片變?nèi)荻O管
MAVR-011020-1411 是一款砷化鎵倒裝芯片超突變變?nèi)荻O管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
可焊接 GaAs 恒定伽馬倒裝芯片變?nèi)荻O管
MAVR-011020-1411 是一款砷化鎵倒裝芯片超突變變?nèi)荻O管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
特征
- 用于線(xiàn)性調(diào)諧的恒定伽瑪
- 可以用焊料或?qū)щ姯h(huán)氧樹(shù)脂安裝
- 可承受 500 次溫度循環(huán)（-65°C 至 +150°C），使用 Sn96.5/Pb3.5 焊料安裝，無(wú)機(jī)械退化
- 提供袖珍卷帶包裝
- 無(wú)鉛（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)*）
- 表面貼裝配置
- 聚酰亞胺劃痕保護(hù)
- 氮化硅鈍化
- 高Q值
- 低寄生電容
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MAVR-011020-1411
描述
可焊接 GaAs 恒定伽馬倒裝芯片變?nèi)荻O管
伽馬
0.90
總電容(pF)
0.025
品質(zhì)因數(shù) @ 50 MHz，最小值
3000
擊穿電壓(V)
22
包裹
口袋膠帶和凝膠包
包裹類(lèi)別
口袋膠帶和凝膠包
MAVR-000406-11410T MAVR-045439-0287FT MAVR-000240-0287AT
MAVR-000406-0287AT MA46H071-1056 MAVR-000240-1146FT
MA46470-276 MAVR-000320-0287FT MAVR-000350-0287GT
MAVR-000230-0287AT MAVR-000230-287GT MAVR-000350-1146FT
MAVR-000350-1146AT MAVR-000320-11410T MA46H201-1056
MA46451-120 MA46580-1209 MAVR-000350-0287FT
MA46H120 MAVR-000320-0287GT MA46471-134
MA46H201-1088 MA46474-94 MA46413-120
MA46461-186 MA46H202-1088 MA46H500-1056
