MA46H120
GaAs超突變
MACOM 的 MA46H120 系列是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變容二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。MA46H120 二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止刮擦。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
特征
- 用于線性調諧的恒定伽瑪
- 表面貼裝配置
- 聚酰亞胺劃痕保護
- 氮化硅鈍化
- 高Q值
- 低寄生電容和電感
應用
- 主義
產品規格
零件號
MA46H120
描述
GaAs超突變
伽馬
1.00
總電容(pF)
0.350
品質因數 @ 50 MHz，最小值
3000
擊穿電壓(V)
15
包裹
倒裝芯片芯片
包裹類別
表面貼裝模具
MA46H120 MAVR-000320-0287GT MA46471-134
MA46H201-1088 MA46474-94 MA46413-120
MA46461-186 MA46H202-1088 MA46H500-1056
MA46H070-1056 MA46H203-1088 MA46H203-1056
MA46H204-1056 MA46H504-1056 MA46603-276
MA46418-120 MA46H501-1056 MA46474-95
MA46H073-1056 MA46H071-1088 MA46H072-1056
MA46474-134 MA46477-134 MA46475-134
MA46476-120 MA46473-134 MA46477-120
