MAVR-000081-0287FT
硅超突變
MA4ST079 至 MA4ST083 系列硅超突變結(jié)調(diào)諧變?nèi)萜鞑捎秒x子注入和先進(jìn)的外延生長(zhǎng)技術(shù)生產(chǎn)。這些二極管具有熱氧化鈍化，具有非常高的電容比和品質(zhì)因數(shù)。它們非常適合從亞高頻到超高頻頻率范圍使用。標(biāo)準(zhǔn)電容容差為 ±10%，可提供更嚴(yán)格的容差。還提供在一個(gè)或多個(gè)偏置電壓下的電容匹配。這些二極管提供標(biāo)準(zhǔn) Sn/Pb 電鍍，以及我們符合 RoHs 標(biāo)準(zhǔn)的等效設(shè)備上的 100% 啞光 Sn 電鍍。MA4ST079 至 MA4ST083 系列超突變結(jié)調(diào)諧變?nèi)荻O管建議用于需要大頻率變化而調(diào)諧電壓僅發(fā)生小變化的情況。該系列適用于需要最大電容隨電壓變化率的寬帶壓控振蕩器和壓控濾波器。電容從 1 到 8 伏特的巨大變化使它們對(duì)于電池供電或其他可用控制電壓有限的系統(tǒng)非常有吸引力。MA4ST079 至 MA4ST083 系列可用于約 100 KHz 至 UHF 頻段的 VCO 和 VTF。
硅超突變
MA4ST079 至 MA4ST083 系列硅超突變結(jié)調(diào)諧變?nèi)萜鞑捎秒x子注入和先進(jìn)的外延生長(zhǎng)技術(shù)生產(chǎn)。這些二極管具有熱氧化鈍化，具有非常高的電容比和品質(zhì)因數(shù)。它們非常適合從亞高頻到超高頻頻率范圍使用。標(biāo)準(zhǔn)電容容差為 ±10%，可提供更嚴(yán)格的容差。還提供在一個(gè)或多個(gè)偏置電壓下的電容匹配。這些二極管提供標(biāo)準(zhǔn) Sn/Pb 電鍍，以及我們符合 RoHs 標(biāo)準(zhǔn)的等效設(shè)備上的 100% 啞光 Sn 電鍍。MA4ST079 至 MA4ST083 系列超突變結(jié)調(diào)諧變?nèi)荻O管建議用于需要大頻率變化而調(diào)諧電壓僅發(fā)生小變化的情況。該系列適用于需要最大電容隨電壓變化率的寬帶壓控振蕩器和壓控濾波器。電容從 1 到 8 伏特的巨大變化使它們對(duì)于電池供電或其他可用控制電壓有限的系統(tǒng)非常有吸引力。MA4ST079 至 MA4ST083 系列可用于約 100 KHz 至 UHF 頻段的 VCO 和 VTF。
特征
- 低成本
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
- 260°C 回流兼容
- 無(wú)鉛
- 卷帶包裝
- 單陰極和共陰極對(duì)
- SPC 監(jiān)測(cè)離子注入以實(shí)現(xiàn)出色的 CV 重復(fù)性
- 適用于電池應(yīng)用
- 高質(zhì)量因子
- 表面貼裝封裝
- 從 1 到 8 伏的非常高的電容比
應(yīng)用
- 主義
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MAVR-000081-0287FT
描述
硅超突變
伽馬
1.30
總電容(pF)
10.100
品質(zhì)因數(shù) @ 50 MHz，最小值
300
擊穿電壓(V)
12
包裹
ODS-287
包裹類別
塑料表面貼裝
MAVR-001330-1146FT MAVR-000350-11410T MAVR-000407-0287FT
MAVR-045441-0287FT MAVR-000081-0287FT MAVR-011005-12790T
MAVR-001230-12790T MAVR-000250-0287FT MAVR-000250-11410T
MAVR-000403-0287AT MAVR-000120-14110P MA144769-287T
MAVR-000250-0287AT MAVR-000250-12790T MAVR-000250-1146AT
MAVR-000250-1146FT MAVR-044767-0287AT MAVR-000120-14110G
MAVR-044769-0287FT MAVR-044769-12790T MAVR-044767-12790T
MGV125-20 MGV125-09 MGV100-24-0805-2
MGV100-20-H20 MGV100-23-E28 / 28 X MGV075-16-P55
