MAVR-000120-14110P
GaAs超突變
MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變容二極管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
GaAs超突變
MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變容二極管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。
特征
- 過去 70GHz 可用
- 可以用焊料或導電環氧樹脂安裝。
- 可承受 500 次溫度循環（-65 攝氏度至 +150 攝氏度），使用 96.5Sn/3.5Ag 焊料安裝，無機械退化。
- 提供口袋膠帶和卷軸。
- 無鉛（符合 RoHs 標準）
- 表面貼裝配置
- 聚酰亞胺劃痕保護
- 氮化硅鈍化
- 高Q值
- 低寄生電容
- 用于線性調諧的恒定伽瑪
產品規格
零件號
MAVR-000120-14110P
描述
GaAs超突變
伽馬
1.00
總電容(pF)
0.350
品質因數 @ 50 MHz，最小值
3000
擊穿電壓(V)
20
包裹
倒裝芯片芯片
包裹類別
可焊表面貼裝芯片
MAVR-045445-0287AT MAVR-000080-0287AT MAVR-000240-11410T
MAVR-001320-1146FT MAVR-000202-12790T MAVR-045436-0287FT
MAVR-001330-1146FT MAVR-000350-11410T MAVR-000407-0287FT
MAVR-045441-0287FT MAVR-000081-0287FT MAVR-011005-12790T
MAVR-001230-12790T MAVR-000250-0287FT MAVR-000250-11410T
MAVR-000403-0287AT MAVR-000120-14110P MA144769-287T
MAVR-000250-0287AT MAVR-000250-12790T MAVR-000250-1146AT
MAVR-000250-1146FT MAVR-044767-0287AT MAVR-000120-14110G
MAVR-044769-0287FT MAVR-044769-12790T MAVR-044767-12790T
MGV125-20 MGV125-09 MGV100-24-0805-2
