MSS30-CR53-H40

硅肖特基 N 型二極管：低勢壘

MSS30,000 系列肖特基二極管采用專有工藝在 N 型外延基板上制造，可產(chǎn)生業(yè)內(nèi)最高的 FCO。每個二極管的 LO 功率為 -3 dBm 至 +3 dBm，可獲得最佳混頻器性能。這些也可用于倍增器、限幅器、檢測器和采樣器應(yīng)用。

硅肖特基 N 型二極管：低勢壘

MSS30,000 系列肖特基二極管采用專有工藝在 N 型外延基板上制造，可產(chǎn)生業(yè)內(nèi)最高的 FCO。每個二極管的 LO 功率為 -3 dBm 至 +3 dBm，可獲得最佳混頻器性能。這些也可用于倍增器、限幅器、檢測器和采樣器應(yīng)用。

特征

• VF、RD 和 CJ 匹配選項。
• 可根據(jù) MIL-PRF-19500 和 MIL-PRF-38534 進行高可靠性篩選。
• 芯片、梁式引線或封裝器件。

產(chǎn)品規(guī)格

零件號

MSS30-CR53-H40

描述

硅肖特基 N 型二極管：低勢壘

Vf(V)

0.3000

Vb

2.00

總電容(pF)

0.330

動態(tài)電阻（歐姆）

15.0

包裹類別

陶瓷封裝

包裹

H40

MSS39-045-C15              MSS30-046-C15                 MSS30-B53-E45

MSS30-148-B10B             MSS30-B46-E45                 MSS30-442-E45

MSS40-148-B10B             MSS30-CR53-H40               MSS60-244-B20

MSS40-048-C15              MSS40-PCR46-B47              MSS50-046-P86

MSS60-846-B80              MSS40-045-P86                 MSS40-CR46-E45

MSS50-046-P55              MZB604-CS19-1                MSS50-146-0402

MZB604-CS11                 MSS39-148-E25              MSS30-PCB46-B48

MSS20-047-H27               MSS30-050-P55               MSS39-152-E25

MSS30-248-E35                MGR705                    MSS60-B53-H40

MSS39-152-H20               MSS30-154-B10B              MSS30-PCR46-B47

MSS30-448-B42               MSS40-CR46-H40              MSS30-442-B42