MA4E2040
GaAs 高阻隔系列三通
MACOM 的 MA4E2037 和 MA4E2038 單二極管、MA4E2039 反并聯對和 MA4E2040 系列三通是砷化鎵束引線肖特基勢壘二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。砷化鎵的高載流子遷移率導致串聯電阻低于具有等效電容的硅肖特基，從而降低噪聲系數和轉換損耗。二極管用氮化硅完全鈍化，并有一層額外的聚合物用于防刮擦。保護涂層可防止在處理過程中損壞結點和陽極氣橋。這些二極管的高截止頻率允許通過毫米波頻率使用。典型應用包括 PCN 收發器和無線電、汽車雷達系統和警用雷達探測器中的單平衡和雙平衡混頻器。MA4E2039 反并聯對設計用于次諧波泵浦混頻器。RF 輸入端高 LO 抑制中二極管特性的緊密匹配。
GaAs 高阻隔系列三通
MACOM 的 MA4E2037 和 MA4E2038 單二極管、MA4E2039 反并聯對和 MA4E2040 系列三通是砷化鎵束引線肖特基勢壘二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。砷化鎵的高載流子遷移率導致串聯電阻低于具有等效電容的硅肖特基，從而降低噪聲系數和轉換損耗。二極管用氮化硅完全鈍化，并有一層額外的聚合物用于防刮擦。保護涂層可防止在處理過程中損壞結點和陽極氣橋。這些二極管的高截止頻率允許通過毫米波頻率使用。典型應用包括 PCN 收發器和無線電、汽車雷達系統和警用雷達探測器中的單平衡和雙平衡混頻器。MA4E2039 反并聯對設計用于次諧波泵浦混頻器。RF 輸入端高 LO 抑制中二極管特性的緊密匹配。
特征
- 低串聯電阻
- 多種配置
- 氮化硅鈍化
- 高截止頻率
- 低電容
產品規格
零件號
MA4E2040
描述
GaAs 高阻隔系列三通
Vf(V)
0.8000
Vb
4.50
總電容(pF)
0.050
動態電阻（歐姆）
4.0
結電容(pF)
0.050
包裹類別
梁鉛
包裹
梁鉛
