MA4E1318
GaAs倒裝芯片反并聯(lián)
MACOM的MA4E1317單管、MA4E1318反并聯(lián)對、MA4E1319-1反三通、MA4E1319-2串聯(lián)三通和MA4E2160未接反并聯(lián)對均為砷化鎵倒裝芯片肖特基勢壘二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。二極管用氮化硅完全鈍化，并有一層額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。這些二極管的高截止頻率允許使用毫米波頻率。典型應(yīng)用包括 PCN 收發(fā)器和無線電中的單平衡和雙平衡混頻器、警用雷達(dá)探測器、和汽車?yán)走_(dá)探測器。這些設(shè)備可在 80 GHz 以下使用。MA4E1318 反并聯(lián)對設(shè)計(jì)用于次諧波泵浦混頻器。二極管特性的緊密匹配導(dǎo)致 RF 輸入端的高 LO 抑制。
GaAs倒裝芯片反并聯(lián)
MACOM的MA4E1317單管、MA4E1318反并聯(lián)對、MA4E1319-1反三通、MA4E1319-2串聯(lián)三通和MA4E2160未接反并聯(lián)對均為砷化鎵倒裝芯片肖特基勢壘二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。二極管用氮化硅完全鈍化，并有一層額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護(hù)涂層可防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。這些二極管的高截止頻率允許使用毫米波頻率。典型應(yīng)用包括 PCN 收發(fā)器和無線電中的單平衡和雙平衡混頻器、警用雷達(dá)探測器、和汽車?yán)走_(dá)探測器。這些設(shè)備可在 80 GHz 以下使用。MA4E1318 反并聯(lián)對設(shè)計(jì)用于次諧波泵浦混頻器。二極管特性的緊密匹配導(dǎo)致 RF 輸入端的高 LO 抑制。
特征
- 低串聯(lián)電阻
- 專為輕松插入電路而設(shè)計(jì)
- 聚酰亞胺劃痕保護(hù)
- 氮化硅鈍化
- 高截止頻率
- 低電容
產(chǎn)品規(guī)格
零件號
MA4E1318
描述
GaAs倒裝芯片反并聯(lián)
Vf(V)
0.8000
Vb
4.50
總電容(pF)
0.090
動(dòng)態(tài)電阻（歐姆）
4.0
結(jié)電容(pF)
0.090
包裹類別
表面貼裝模具
包裹
ODS-1197
