MA4E2508M-1112
和。勢壘反平行硅
MA4E2508 SURMOUNTTM 反并聯二極管系列是采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造的硅低、中和高勢壘肖特基器件。HMIC 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質中的導體構成，玻璃電介質充當低色散、低損耗的微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應與芯片的卓越機械性能相結合的電路的絕佳選擇。Surmount 結構采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設備是可靠的、可重復的，并且是比傳統設備成本更低的解決方案。
和。勢壘反平行硅
MA4E2508 SURMOUNTTM 反并聯二極管系列是采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造的硅低、中和高勢壘肖特基器件。HMIC 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質中的導體構成，玻璃電介質充當低色散、低損耗的微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應與芯片的卓越機械性能相結合的電路的絕佳選擇。Surmount 結構采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設備是可靠的、可重復的，并且是比傳統設備成本更低的解決方案。與傳統的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩定烘烤。“0502”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩定烘烤。“0502”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。與傳統的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩定烘烤。“0502”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。
特征
- 極低的寄生電容和電感
- 降低對 ESD 損壞的敏感性
- 具有擴散屏障的可靠多層金屬化，100% 穩定烘烤（300°C，16 小時）
- 堅固的 HMIC? 結構，具有聚酰亞胺防刮擦保護
- 可在微波電路中進行表面貼裝，無需引線鍵合
產品規格
零件號
MA4E2508M-1112
描述
和。勢壘反平行硅
Vf(V)
0.4200
Vb
5.00
總電容(pF)
0.240
動態電阻（歐姆）
12.0
結電容(pF)
0.240
包裹類別
表面貼裝模具
包裹
ODS-1112
