MADS-001318-1451
可焊GaAs倒裝芯片肖特基二極管
MADS-001318-1451 反并聯對是砷化鎵倒裝芯片肖特基勢壘二極管。該器件采用 OMCVD 外延材料制造，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。該設備可以用焊料或導電環氧樹脂連接。該二極管的高截止頻率允許通過毫米波頻率使用。典型應用包括 PCN 收發器和無線電中的單平衡和雙平衡混頻器、警用雷達探測器和汽車雷達探測器。這些設備可在 80 GHz 以下使用。MA4E1318 反并聯對設計用于次諧波泵浦混頻器。二極管特性的緊密匹配導致 RF 輸入端的高 LO 抑制。
可焊GaAs倒裝芯片肖特基二極管
MADS-001318-1451 反并聯對是砷化鎵倒裝芯片肖特基勢壘二極管。該器件采用 OMCVD 外延材料制造，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。該設備可以用焊料或導電環氧樹脂連接。該二極管的高截止頻率允許通過毫米波頻率使用。典型應用包括 PCN 收發器和無線電中的單平衡和雙平衡混頻器、警用雷達探測器和汽車雷達探測器。這些設備可在 80 GHz 以下使用。MA4E1318 反并聯對設計用于次諧波泵浦混頻器。二極管特性的緊密匹配導致 RF 輸入端的高 LO 抑制。
特征
- 低串聯電阻
- 高截止頻率
- 低電容
- 氮化硅鈍化
- 聚酰亞胺劃痕保護
- 專為輕松插入電路而設計
- 可以用焊料或導電環氧樹脂安裝
產品規格
零件號
MADS-001318-1451
描述
可焊GaAs倒裝芯片肖特基二極管
Vf(V)
0.7000
總電容(pF)
0.050
動態電阻（歐姆）
4.0
結電容(pF)
0.025
包裹類別
死
包裹
表面貼裝
