--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 零件號(hào) MADP-042408-130600
- 描述 超越PIN二極管
- 擊穿電壓,最小值(V 100
- 電阻(歐姆) 0.60
- 總電容(pF) 0.360
--- 產(chǎn)品詳情 ---
MADP-042408-130600
超越PIN二極管
該器件是一種硅玻璃 PIN 二極管封裝芯片,采用 MACOM 的專(zhuān)利 HMIC? 工藝制造。該設(shè)備具有兩個(gè)嵌入低損耗、低色散玻璃中的硅基座。二極管形成在一個(gè)基座的頂部,并且通過(guò)使基座側(cè)壁導(dǎo)電來(lái)促進(jìn)與器件背面的連接。應(yīng)用選擇性背面金屬化生產(chǎn)表面貼裝設(shè)備。這種垂直拓?fù)涮峁┝顺錾臒醾鬟f。頂部完全用氮化硅封裝,并有一個(gè)額外的聚合物層用于防刮擦和沖擊保護(hù)。這些保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過(guò)程中損壞結(jié)點(diǎn)和陽(yáng)極氣橋。這些無(wú)封裝器件適用于中等入射功率應(yīng)用,= 10W/CW 或者峰值功率 = 52W,脈沖寬度 = 1μS,占空比 = 0.01%。與相應(yīng)的塑料封裝器件相比,它們的低寄生電感 (0.4 nH) 和出色的 RC 常數(shù)使這些器件成為高頻開(kāi)關(guān)元件的最佳選擇。
超越PIN二極管
該器件是一種硅玻璃 PIN 二極管封裝芯片,采用 MACOM 的專(zhuān)利 HMIC? 工藝制造。該設(shè)備具有兩個(gè)嵌入低損耗、低色散玻璃中的硅基座。二極管形成在一個(gè)基座的頂部,并且通過(guò)使基座側(cè)壁導(dǎo)電來(lái)促進(jìn)與器件背面的連接。應(yīng)用選擇性背面金屬化生產(chǎn)表面貼裝設(shè)備。這種垂直拓?fù)涮峁┝顺錾臒醾鬟f。頂部完全用氮化硅封裝,并有一個(gè)額外的聚合物層用于防刮擦和沖擊保護(hù)。這些保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過(guò)程中損壞結(jié)點(diǎn)和陽(yáng)極氣橋。這些無(wú)封裝器件適用于中等入射功率應(yīng)用,= 10W/CW 或者峰值功率 = 52W,脈沖寬度 = 1μS,占空比 = 0.01%。與相應(yīng)的塑料封裝器件相比,它們的低寄生電感 (0.4 nH) 和出色的 RC 常數(shù)使這些器件成為高頻開(kāi)關(guān)元件的最佳選擇。
特征
- 表面貼裝
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
- 高平均和峰值功率處理
- 低寄生電容和電感
- 聚合物防刮傷
- 氮化硅鈍化
- 堅(jiān)固的硅玻璃結(jié)構(gòu)
- 無(wú)需引線鍵合
應(yīng)用
- 航天與國(guó)防
- 主義
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MADP-042408-130600
描述
超越PIN二極管
擊穿電壓,最小值(V)
100
電阻(歐姆)
0.60
總電容(pF)
0.360
壽命(nS)
380
連續(xù)波功耗(W)
1.5
熱阻(°C/W)
100.0
包裹
ODS-1306模具
包裹類(lèi)別
表面貼裝芯片
最小頻率(MHz)
50
最大頻率(MHz)
4000
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