MADP-017025-1314
超越PIN二極管
該器件是一種硅玻璃 PIN 二極管封裝芯片，采用 MACOM 的專利 HMIC? 工藝制造。該設(shè)備具有兩個嵌入低損耗、低色散玻璃中的硅基座。二極管形成在一個基座的頂部，并且通過使基座側(cè)壁導(dǎo)電來促進(jìn)與器件背面的連接。應(yīng)用選擇性背面金屬化生產(chǎn)表面貼裝設(shè)備。這種垂直拓?fù)涮峁┝顺錾臒醾鬟f。頂部完全用氮化硅封裝，并有一個額外的聚合物層用于防刮擦和沖擊保護(hù)。這些保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過程中損壞結(jié)點和陽極氣橋。這些無封裝設(shè)備適用于中等入射功率 = 50dBm/CW 或者峰值功率 = 75dBm，脈沖寬度 = 1μS，占空比 = 0.01%。與相應(yīng)的塑料封裝器件相比，它們的低寄生電感 (0.4 nH) 和出色的 RC 常數(shù)使這些器件成為高頻開關(guān)元件的最佳選擇。
超越PIN二極管
該器件是一種硅玻璃 PIN 二極管封裝芯片，采用 MACOM 的專利 HMIC? 工藝制造。該設(shè)備具有兩個嵌入低損耗、低色散玻璃中的硅基座。二極管形成在一個基座的頂部，并且通過使基座側(cè)壁導(dǎo)電來促進(jìn)與器件背面的連接。應(yīng)用選擇性背面金屬化生產(chǎn)表面貼裝設(shè)備。這種垂直拓?fù)涮峁┝顺錾臒醾鬟f。頂部完全用氮化硅封裝，并有一個額外的聚合物層用于防刮擦和沖擊保護(hù)。這些保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過程中損壞結(jié)點和陽極氣橋。這些無封裝設(shè)備適用于中等入射功率 = 50dBm/CW 或者峰值功率 = 75dBm，脈沖寬度 = 1μS，占空比 = 0.01%。與相應(yīng)的塑料封裝器件相比，它們的低寄生電感 (0.4 nH) 和出色的 RC 常數(shù)使這些器件成為高頻開關(guān)元件的最佳選擇。
特征
- 0603大綱
- 聚合物防刮傷
- 氮化硅鈍化
- 無需引線鍵合
- 25μm I 區(qū)長度器件
- 表面貼裝
- 低寄生電容和電感
- 高平均和峰值功率處理
應(yīng)用
- 航天與國防
- 主義
產(chǎn)品規(guī)格
零件號
MADP-017025-1314
描述
超越PIN二極管
擊穿電壓，最小值(V)
1335
電阻（歐姆）
1.00
總電容(pF)
0.230
壽命(nS)
2300
連續(xù)波功耗(W)
5.0
熱阻(°C/W)
30.0
包裹
ODS-1314 模具
包裹類別
表面貼裝芯片
最小頻率(MHz)
1個
最大頻率(MHz)
6000
MADP-017015-1314現(xiàn)貨
MADP-017025-1314現(xiàn)貨
MADP-030015-13140G現(xiàn)貨
MADP-030015-13140P現(xiàn)貨
MADP-030025-1314現(xiàn)貨
MADP-042305-130600現(xiàn)貨
MADP-042308-130600現(xiàn)貨
MADP-042405-130600現(xiàn)貨
MADP-042408-130600現(xiàn)貨
MADP-042505-130600現(xiàn)貨
MADP-042508-130600現(xiàn)貨
MADP-042905-130600現(xiàn)貨
MADP-042908-130600現(xiàn)貨
MADP-064908-131000現(xiàn)貨
MASW-011163-20120T現(xiàn)貨
MASW-011164-20120T現(xiàn)貨
