--- 產品參數 ---
- 零件號 MA4AGP907
- 描述 AlGaAS PIN 二極管
- 擊穿電壓,最小值(V 50
- 電阻(歐姆) 5.20
- 總電容(pF) 0.030
--- 產品詳情 ---
MA4AGP907
AlGaAS PIN 二極管
MACOM 的 MA4AGP907 和 MA4AGFCP910 是鋁砷化鎵 (AlGaAs) 倒裝芯片 PIN 二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的,采用針對高器件均勻性和極低寄生效應優化的工藝。最終結果是二極管具有極低的 RC 產品 (0.1ps) 和 2-3nS 的開關特性。它們已用氮化硅完全鈍化,并添加了聚合物層以防止刮擦。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞結點和陽極氣橋。MA4AGP907 和 MA4AGFCP910 的超低電容使其成為毫米波頻率范圍內射頻開關和移相器應用的理想選擇。這些二極管設計用于需要個位數 nS 開關速度的脈沖或 CW 應用。
特征
- 低串聯電阻
- 聚酰亞胺劃痕保護
- 氮化硅鈍化
- 可以由緩沖 TTL 驅動
- 2 納秒的開關速度
- 毫米波開關和截止頻率
- 超低電容
- 符合 RoHS 標準
產品規格
零件號
MA4AGP907
描述
AlGaAS PIN 二極管
擊穿電壓,最小值(V)
50
電阻(歐姆)
5.20
總電容(pF)
0.030
壽命(nS)
4個
連續波功耗(W)
0.1
包裹
倒裝芯片芯片
包裹類別
表面貼裝模具
ROHS指令
是的
最小頻率(MHz)
100
最大頻率(MHz)
30000
相關型號
MA47266-146現貨
MA47416-132現貨
MA47418-134現貨
MA47600-54現貨
MA4AGBLP912現貨
MA4AGFCP910現貨
MA4AGP907現貨
MA4FCP200現貨
MA4FCP300現貨
MA4FCP305現貨
MA4GP022現貨
MA4GP030現貨
MA4GP905現貨
MA4GP907現貨
MA4P1200-401現貨
MA4P1200-401T現貨
MA4P1200NM-401T現貨
為你推薦
-
TGC4407-SM 射頻混頻器2024-05-13 14:32
產品型號:TGC4407-SM 射頻頻率:21500 至 32500 兆赫 本振頻率:11000 至 16000 兆赫 中頻頻率:0 至 7000 兆赫 電源電流:65毫安 包裹:QFN -
AMMP-6333-TR1G 2024-05-13 12:32
產品型號:AMMP-6333-TR1G 頻率:18GHz ~ 33GHz 供電電流:230 mA 功耗:2 W 增益:16 dB 電源電壓:2 V -
MA4AGSW1A2023-09-20 19:00
產品型號:MA4AGSW1A 零件號:MA4AGSW1A 描述:50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引腳二極管開關 配置:單刀單擲 頻率:50 MHz 至 50 GHz -
MAVR-011020-14110P2023-09-20 18:46
產品型號:MAVR-011020-14110P 零件號:MAVR-011020-14110P 描述:可焊接 GaAs 恒定伽馬倒裝芯片變容二極管 伽馬:0.90 總電容(pF):0.025 -
MADP-000907-14020P2023-09-20 18:39
產品型號:MADP-000907-14020P 零件號:MADP-000907-14020P 描述:鋁鎵砷針二極管 擊穿電壓,最小值(V:45 電阻(歐姆):5.20 -
MAVR-000120-14110P2023-09-20 18:26
產品型號:MAVR-000120-14110P 零件號:MAVR-000120-14110P 描述:GaAs超突變 伽馬:1.00 總電容(pF):0.350 -
MA4PBL0272023-09-20 18:17
產品型號:MA4PBL027 零件號:MA4PBL027 描述:硅PIN二極管 擊穿電壓,最小值(V:90 電阻(歐姆):4.00 -
SKY73035-11 射頻混頻器2023-07-10 17:40
產品型號:SKY73035-11 零件號:SKY73035-11 射頻頻率:2300 至 2700 兆赫 中頻頻率:50 至 500 兆赫 轉換增益:7.6分貝 -
SKY73069-11 射頻混頻器2023-07-10 17:17
產品型號:SKY73069-11 零件號:SKY73069-11 描述:上變頻混頻器、下變頻混頻器 射頻頻率:700 至 1000 MHz 中頻頻率:50 至 300 兆赫 -
CDF7621-000 硅肖特基二極管芯片2023-07-10 15:20
產品型號:CDF7621-000 產品型號:CDF7621-000 C J (pF):0.10 V F @ 1 mA:270-350