MA4AGSW8-1
AlGaAs PIN 二極管
MACOM 的 MA4AGSW8-1 是一種鋁-鎵-砷、單刀、八擲 (SP8T)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強(qiáng)型 AlGaAs 陽極，采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與使用傳統(tǒng) GaAs 工藝制造的器件相比，AlGaAs 技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更少。在 50 GHz 時(shí)可實(shí)現(xiàn)多達(dá) 0.3 dB 的插入損耗降低。該器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工藝旨在實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)。芯片內(nèi)的二極管表現(xiàn)出低串聯(lián)電阻、低電容和快速開關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過程中損壞二極管結(jié)和芯片陽極空氣橋。需要片外偏置電路。AlGaAs 的高電子遷移率和所用 PIN 二極管的低電容使得該開關(guān)非常適合快速響應(yīng)、高頻、多擲開關(guān)設(shè)計(jì)。AlGaAs PIN 二極管開關(guān)是雷達(dá)系統(tǒng)、輻射計(jì)、測試設(shè)備和其他多組件組件中開關(guān)陣列的理想選擇。
特征
- 超寬帶寬：50 MHz 至 40 GHz
- 聚合物劃痕保護(hù)
- 氮化硅鈍化
- MACOM 獨(dú)特的 AlGaAs 異質(zhì)結(jié)陽極技術(shù)
- 低電流消耗： ?-10mA 用于低損耗狀態(tài) ?+10mA 用于隔離狀態(tài)
- 功能帶寬：50 MHz 至 50 GHz
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
MA4AGSW8-1
制造商
馬康
描述
0.5 至 4 GHz 的 SP8T 固態(tài)開關(guān)
一般參數(shù)
類型
固體狀態(tài)
配置
SP8T
應(yīng)用
ISM 樂隊(duì)
應(yīng)用行業(yè)
軍事、太空
頻率
500 MHz 至 4 GHz
插入損耗
1.5 至 2.3 分貝
隔離
30 至 32 分貝
P1dB
23分貝
P1dB
0.2 瓦
力量
23分貝
力量
0.2 瓦
IIP3
40分貝
IIP3 (W)
10 瓦
包裝類型
表面貼裝
RoHS
是的
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